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UTD410L-AA3-R Folha de dados(PDF) 3 Page - Unisonic Technologies |
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3 / 5 page ![]() UTD410 Power MOSFET UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD 3 of 5 www.unisonic.com.tw QW-R502-142.B TYPICAL CHARACTERISTICS 0 150 50 Gate-Source Voltage, VGS (V) On-Resistance vs. Gate-Source Voltage 10 4 36 8 10 90 110 190 0.0 Source-Drain Voltage, VSD (V) Body-Diode Characteristics 1.2 0.2 0.6 1.0 1.0E-06 ID=8A 0.8 0.4 125℃ 25℃ 170 130 70 30 125℃ 25℃ 1.0E-05 1.0E-04 1.0E-03 1.0E-02 1.0E-01 1.0E+00 1.0E+01 |
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