KPA1790 datasheet(1/2 Pages) KEXIN

Nome de Peças	KPA1790

Descrição Electrónicos	MOS Field Effect Transistor

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Fabricante Electrônico	KEXIN [Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd]

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SMD Type

IC

www.kexin.com.cn

1

SMD Type

IC

MOS Field Effect Transistor

KPA1790

Features

Dual chip type

Low on-state resistance

N-channel RDS(on)1 =0.12

TYP. (VGS =10V, ID =0.5 A)

RDS(on)2 =1.19

TYP. (VGS =4V, ID =0.5 A)

P-channel RDS(on)1 =0.45

TYP. (VGS =-10 V, ID = -0.35 A)

RDS(on)2 =0.74

TYP. (VGS =-4V, ID = -0.35 A)

Low input capacitance

N-channel Ciss = 180 pF TYP.

P-channel Ciss = 230 pF TYP.

Built-in G-S protection diode

Small and surface mount package

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Symbol

N-Channel

P- Channel

Unit

Drain to Source Voltage (VGS =0V)

VDSS

60

-60

V

Gate to Source Voltage (VDS =0V)

VGSS

20

V

Drain Current (DC)

ID(DC)

1.0

0.7

A

Drain Current (pulse) *1

ID(pulse)

4.0

2.8

A

Total Power Dissipation (1 unit) *2

PT

W

Total Power Dissipation (2 units) *2

PT

W

Channel Temperature

Tch

Storage Temperature

Tstg

Single Avalanche Current *3

IAS

0.5

-0.35

A

Single Avalanche Energy *3

EAS

0.02

0.01

mJ

*1. PW

10

s, Duty Cycle

1%

*2. Mounted on ceramic substrate of 2000 mm

2 X2.25 mm

*3. Starting Tch =25

,VDD =30V, RG =25

,VGS =20

0V

1.7

2

150

-55to+150

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