2SC3233-252 datasheet(1/2 Pages) ISC

Nome de Peças	2SC3233-252

Descrição Electrónicos	Silicon NPN Power Transistor

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Fabricante Electrônico	ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]

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Silicon NPN Power Transistor

2SC3233

www.iscsemi.com

1

DESCRIPTION

·

Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V(BR)CEO= 400V(Min)

·

DC Current Gain-

: hFE= 20(Min)@ IC= 0.1A

·

Fast switching speed

·

Large current capacity

APPLICATIONS

·

Power amplifier applications

·

Driver stage amplifier applications

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

VCBO

Collector-Base Voltage

500

V

VCEO

Collector-Emitter Voltage

400

V

VEBO

Emitter-Base Voltage

7

V

IC

Collector Current-Continuous

2

A

IB

Base current

0.5

A

PC

Total Power Dissipation

@ TC=25℃

20

W

TJ

Junction Temperature

150

℃

Tstg

Storage Temperature Range

-55~150

℃

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