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HM5421 Folha de dados(PDF) 4 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

Nome de Peças HM5421
Descrição Electrónicos  built-in high-precision voltage detection circuit
PDF  7 Pages
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Fabricante Electrônico  HMSEMI [Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd]
Página de início  http://www.hmsemi.com/
Logo HMSEMI - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

HM5421 Folha de dados(HTML) 4 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

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第 4 页 共 7 页
OD端子输出低电压
VDL
0.2
0.5
V
OC端子输出高电压
VCH
VDD-0.1
VDD-0.02
V
OC端子输出低电压
VCL
0.2
0.5
V
向
0V电池充电的功能（允许或禁止）
充电器起始电压（允许向
0V
电池充电功能）
V0CH
允许向
0V电池充电功
能
1.2
-
-
V
电池电压（禁止向
0V电池充
电功能）
V0IN
禁止向
0V电池充电功
能
-
-
0.5
V
九、
应用电路图
1
2
3
4
5
6
A
B
C
D
6
5
4
3
2
1
D
C
B
A
Title
Number
Revision
Size
B
Date:
30-Nov-2011
Sheet of
File:
E:\E盘\规格书\规格图\规格图-0\ZBO\TC2120.ddb
Drawn By:
+
-
+
-
VDD
VC
VSS
CS
OD
OC
PB+
PB-
R1
R2
R3
电池1
电池2
330Ω
330Ω
2KΩ
C1
C2
0.1uF
0.1uF
M1
M2
标记
器件名称
用途
最小值
典型值
最大值
说明
R1
电阻
限流、稳定
VDD、加强ESD
100Ω
330Ω
470Ω
*1
R2
电阻
限流、稳定
VC、加强ESD
100Ω
330Ω
470Ω
*1
R3
电阻
限流
1 kΩ
2kΩ
4kΩ
*2
C1
电容
滤波，稳定
VDD
0.01μF
0.1μF
1.0μF
*3
C2
电容
滤波，稳定
VDD
0.01μF
0.1μF
1.0μF
*3
M1
N-MOSFET
放电控制
-
-
-
*4
M2
N-MOSFET
充电控制
-
-
-
*5
*1、R1或R2连接过大电阻，由于芯片消耗的电流会在R1或R2上产生压降，影响检测电压精度。当充电器反接时，
电流从充电器流向
IC，若R1或R2过大有可能导致VDD-VSS端子间电压超过绝对最大额定值的情况发生。
*2、R3连接过大电阻，当连接高电压充电器时，有可能导致不能切断充电电流的情况发生。但为控制充电器反接
时的电流，请尽可能选取较大的阻值。
HM5421B/C
双节锂电池保护
IC
Shenzhen H&M Semiconductor Co.Ltd
http：//www.hmsemi.com



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