10N65B datasheet(1/6 Pages) YFWDIODE

Nome de Peças	10N65B

Descrição Electrónicos	10A 650V N-channel enhancement mode field effect transistor

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Fabricante Electrônico	YFWDIODE [DONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD]

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N-CHANNEL MOSFET

10N65B

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www.yfwdiode.com

Dongguan YFW Electronics Co, Ltd.

10A 650V N沟道增强型场效应管

主要参数：

ID

10A

VDSS

650V

RDSON-typ(@VGS=10V)

0.7Ω

性能特点：



开关速度快



低导通电阻



低反向传输电容



低栅极电荷量



100%单脉冲雪崩能量测试



提升了dv/dt能力

机械性能：



注塑成型封装



适用任何位置安装



封装材料符合UL 94V-0燃烧防火等级标准



加工焊接峰值最高温度 275°C ；时间丌大于 10s



封装形式: TO-220C, TO-220F, TO-263

G.栅极 D.漏极 S.源极

产品规格分类：

产品料号

封装形式

产品印字

包装方式

YFW10N65B2

TO-220F(0.5mm)

10N65BF

50PCS每管

YFW10N65B8

TO-220F(1.3mm)

10N65BF

50PCS每管

YFW10N65B3

TO-263

10N65BS

50PCS每管

YFW10N65B3-R

TO-263

10N65BS

800PCS每盘

YFW10N65B9

TO-220C

10N65BC

50PCS每管

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	6N65A	1Mb / 7P	6A 650V N-channel enhancement mode field effect transistor
	7N65A	1Mb / 7P	7A 650V N-channel enhancement mode field effect transistor
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	9N65A	961Kb / 6P	9A 650V N-channel enhancement mode field effect transistor
	10N65A	984Kb / 6P	10A 650V N-channel enhancement mode field effect transistor
	12N65A	865Kb / 5P	12A 650V N-channel enhancement mode field effect transistor
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