BAS216WT datasheet(2/2 Pages) DIOTEC

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BAS216WT

Characteristics

Kennwerte

Forward voltage 1)

Durchlass-Spannung 1)

Tj = 25°C

IF = 1 mA

IF = 10 mA

IF = 50 mA

IF = 150 mA

< 715 mV

< 855 mV

< 1.0 V

< 1.25 V

Leakage current

Sperrstrom

Tj = 25°C

VR = 75 V

< 1 µA

Tj = 150°C

VR = 25 V

VR = 75 V

< 30 µA

< 50 µA

Max. junction capacitance

Max. Sperrschichtkapazität

VR = 0 V, f = 1 MHz

1.5 pF

Reverse recovery time

Sperrverzug

IF = 10 mA über/through

IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA

trr

< 4 ns

Thermal resistance junction to ambient

Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung

RthA

< 620 K/W 2)

Disclaimer: See data book page 2 or website

Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet

Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%

Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss

http://www.diotec.com/

[%]

tot

120

100

[°C]

150

100

Power dissipation versus ambient temperature )

Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. )

Forward characteristics (typical values)

Durchlasskennlinien (typische Werte)

[V] 1.4

1.0

0.8

0.6

0.4

[A]

-4

10-3

-2

-1

T = 25°C

T = 125°C

BAS216WT Folha de dados(PDF) 2 Page - Diotec Semiconductor

BAS216WT Folha de dados(HTML) 2 Page - Diotec Semiconductor

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