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Nome de Peças	2SK3530

Descrição Electrónicos	Fuji Power MOSFET SuperFAP-G series Target Specification

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Fabricante Electrônico	FUJI [Fuji Electric]

Página de início	http://www.fujielectric.co.jp/eng/fdt/scd

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Nº de peça semelhante - 2SK3530

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Inchange Semiconductor ...	2SK3530	250Kb / 2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
Fuji Electric	2SK3530-01MR	119Kb / 4P	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
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Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Fuji Electric	1MBI150SH-140	168Kb / 2P	Tentative target specification
	2SK1503-01	2Mb / 10P	Fuji power MOSFET Specification
	ESAC25M-02C	1Mb / 4P	FUJI SILICON DIODE SPECIFICATION
	2SK3679	30Kb / 1P	Fuji Power MOSFET SuperFAP-G series Target Specification
	2SK3683	112Kb / 1P	Fuji Power MOSFET SuperFAP-G series Target Specification
Vitesse Semiconductor C...	VSC9110	1Mb / 13P	Target Specification
Fuji Electric	2SK3875-01	114Kb / 4P	FUJI POWER MOSFET Super FAP-G Series
Vitesse Semiconductor C...	VSC8124	648Kb / 20P	Target Specification
Fuji Electric	2SK3550-01R	32Kb / 1P	Power MOSFET SuperFAP-G series Target
Fuji Electric	2SK3674-01L	98Kb / 4P	Power MOSFET SuperFAP-G series Target Specification