CGH31240F pdf, CGH31240F Descrição Electrónicos, CGH31240F Folha de dados, CGH31240F view ::: ALLDATASHEET :::

Nº de peça semelhante - CGH31240F

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
WOLFSPEED, INC.	CGH31240F	2Mb / 12P	240 W, 2.7-3.1 GHz, 50-ohm Input/Output Matched, GaN HEMT for S-Band Radar Systems Rev. 2.2, 2022-11-11

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Microsemi Corporation	2731-100M	298Kb / 5P	100 Watts, 36 Volts, 200us, 10% Radar 2700-3100 MHz
Microsemi Corporation	2731-20	63Kb / 3P	20Watts, 36 Volts, 100us, 10% Radar 2700-3100 MHz
Cree, Inc	CGH35060F2	1Mb / 11P	60 W, 3100-3500 MHz, 28V, GaN HEMT Rev 4.0
	CGH35240F	1Mb / 12P	240 W, 3100-3500 MHz, 50-ohm Input/ Rev 3.0
	CGHV31500F	722Kb / 10P	500 W, 2700 - 3100 MHz, 50-Ohm Input Rev 1.0
	CGHV35400F	829Kb / 11P	400 W, 2900 - 3500 MHz, 50-Ohm Input Rev 2.0
	CGHV50200F	2Mb / 15P	200 W, 4400 - 5000 MHz, 50-Ohm Input Rev 1.1
	CGHV59350	3Mb / 12P	350 W, 5200 - 5900 MHz, 50-Ohm Input Rev 0.0
	CGHV96050F1	1Mb / 14P	50 W, 7.9 - 9.6 GHz, 50-ohm, Input Rev 2.0
	GTVA311801FA	463Kb / 5P	Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 180 W, 50 V, 2700 ??3100 MHz