RJK0855DPB_15 pdf, RJK0855DPB_15 Descrição Electrónicos, RJK0855DPB_15 Folha de dados, RJK0855DPB

Nome de Peças	RJK0855DPB

Descrição Electrónicos	80V, 30A, 11 m??max. Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching

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Fabricante Electrônico	RENESAS [Renesas Technology Corp]

Página de início	http://www.renesas.com

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Nº de peça semelhante - RJK0855DPB_15

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Renesas Technology Corp	RJK0855DPB-00-J5	155Kb / 7P	80V, 30A, 11 m max. Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Renesas Technology Corp	RJK0851DPB	108Kb / 7P	80V, 20A, 23m max. Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
	RJK0852DPB	108Kb / 7P	80V, 30A, 12m max. Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
	RJK0853DPB	108Kb / 7P	80V, 40A, 8.0m max. Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
	RJK0854DPB	137Kb / 7P	80V, 25A, 13 m max. Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
	RJK0855DPB	155Kb / 7P	80V, 30A, 11 m max. Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
	RJK0856DPB	154Kb / 7P	80V, 35A, 8.9m??max. Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
	RJK0854DPB	137Kb / 7P	80V, 25A, 13 m??max Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
	RJK0851DPB	108Kb / 7P	80V, 20A, 23m??max. Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
	RJK0853DPB	108Kb / 7P	80V, 40A, 8.0m??max. Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
	RJK0856DPB	153Kb / 7P	80V, 35A, 8.9m max. Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching Apr 11, 2013