ZC005TG pdf, ZC005TG Descrição Electrónicos, ZC005TG Folha de dados, ZC005TG view ::: ALLDATASHEET :::

Nome de Peças	ZC005TG

Descrição Electrónicos	N-Channel MOSFET uses advanced SGT to minimize on-state reistance

Tamanho do Arquivo	1997.62 Kbytes

Html View	1 2 3 4 5

Fabricante Electrônico	DOINGTER [SHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.]

Página de início	http://www.doingter.cn/

Logo

Nº de peça semelhante - ZC005TG

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
SHENZHEN DOINGTER SEMIC...	ZC005NG	873Kb / 4P	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
SHENZHEN DOINGTER SEMIC...	ZC004TG	1Mb / 4P	N-Channel MOSFET uses advanced SGT to minimize on-state reistance
	AON7534	884Kb / 6P	N-Channel MOSFET uses advanced SGT to minimize on-state resistance
	MTB4D0N03BV8	2Mb / 5P	N-Channel MOSFET uses advanced SGT to minimize on-state resistance
	RU6050L	1Mb / 5P	N-Channel MOSFET uses advanced SGT technology
	SIS456DN	1Mb / 5P	N-Channel MOSFET uses advanced SGT to minimize on-state reistance
	SM1A06NSU	1Mb / 5P	N-Channel MOSFET uses advanced SGT technology
	TPCC8062-H	2Mb / 5P	N-Channel MOSFET uses advanced trench SGT to minimize on-state resistance
	TPN11003NL	1Mb / 4P	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology to minimize on-state resistance
	UPA2820T1S	1Mb / 5P	N-Channel MOSFET uses advanced SGT to minimize on-state resistance
	WSD3066DN	2Mb / 5P	N-Channel MOSFET uses advanced SGT to minimize on-state resistance