FIR140N098RG pdf, FIR140N098RG Descrição Electrónicos, FIR140N098RG Folha de dados, FIR140N098RG view ::: ALLDATASHEET :::

Nome de Peças	FIR140N098RG

Descrição Electrónicos	Uses split-gate technology

Tamanho do Arquivo	1728.29 Kbytes

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Fabricante Electrônico	FOSTER [Shenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd.]

Página de início	http://www.first-semi.com

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Nº de peça semelhante - FIR140N098RG

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
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Shenzhen Foster Semicon...	FIR140N082PG	3Mb / 7P	N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Silicon image	SII164	471Kb / 33P	Transmitter uses PanelLink Digital technology
Fairchild Semiconductor	IRFS640A	325Kb / 7P	Rugged Gate Oxide Technology
Silikron Semiconductor ...	SSF2300	348Kb / 7P	The SSF2300 uses advanced trench technology
SemiHow Co.,Ltd.	HCS70R600S	168Kb / 7P	Robust Gate Oxide Technology
GOOD-ARK Electronics	GDSSF230	446Kb / 6P	SSF2302 uses advanced trench technology
SHENZHEN DOINGTER SEMIC...	AM20N06-90D	800Kb / 5P	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology
	AM20N10-115D	4Mb / 4P	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology
	AM40N20-180P	1Mb / 5P	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology
	AM50N03-12D	1Mb / 4P	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology
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