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STPSC20H065CW Folha de dados (PDF) - STMicroelectronics
STPSC20H065CW Datasheet PDF - STMicroelectronics
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Descrição Electrónicos Dedicated to PFC applications

STPSC20H065CW Datasheet (PDF)

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STPSC20H065CW Detalhes do produto

Description
The SiC diode is an ultrahigh performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature. Especially suited for use in PFC applications, this ST SiC diode will boost the performance in hard switching conditions. Its high forward surge capability ensures a good robustness during transient phases. K (2) A1 (1) A2 (3) A1 K A2 A1 K A2 TO-220AB STPSC20H065CT TO-247 STPSC20H065CW




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Sobre a STMicroelectronics

A STMicroelectronics é um fabricante multinacional de eletrônicos e semicondutores com sede em Genebra, Suíça.

A empresa oferece uma ampla gama de produtos, incluindo microcontroladores, sensores, amplificadores de energia e circuitos integrados para várias aplicações nos mercados automotivo, industrial e de consumo.

Fundada em 1987, a STMicroelectronics possui operações em mais de 100 países e é uma das maiores empresas de semicondutores do mundo.

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