STGD19N40LZ Folha de dados(PDF) - STMicroelectronics

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Fabricante Electrônico	STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]

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Automotive-grade 390 V internally clamped IGBT ESCIS 180 mJ

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Descrição Electrónicos	Automotive-grade 390 V internally clamped IGBT ESCIS 180 mJ

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STGD19N40LZ Detalhes do produto

Description
This application-specific IGBT utilizes the most advanced PowerMESH™ technology. The built-in Zener diodes between gate-collector and gateemitter provide overvoltage protection capabilities. The device also exhibits low on-state voltage drop and low threshold drive for use in automotive ignition systems. DPAK 1 3 TAB C (2 or TAB) E (3) G (1) RG RGE SC30180

Features
■ AEC-Q101 qualified
■ 180 mJ of avalanche energy @ TC = 150 °C, L = 3 mH
■ ESD gate-emitter protection
■ Gate-collector high voltage clamping
■ Logic level gate drive
■ Low saturation voltage
■ High pulsed current capability
■ Gate and gate-emitter resistor

Applications
■ Pencil coil electronic ignition driver

Nº de peça semelhante - STGD19N40LZ

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
STMicroelectronics	STGD10HF60KD	760Kb / 21P	Automotive-grade 10 A, 600 V, short-circuit rugged IGBT with Ultrafast diode 15-Sep-2015
	STGD10NC60H	428Kb / 14P	N-channel 10A - 600V - DPAK Very fast PowerMESH??IGBT 02-Apr-2007
	STGD10NC60HDT4	774Kb / 19P	600 V - 10 A - very fast IGBT 16-Dec-2008
	STGD10NC60HDT4	771Kb / 19P	600 V - 10 A - very fast IGBT 16-Dec-2008
	STGD10NC60K	599Kb / 17P	N-channel 600V - 10A - D2PAK / TO-220 / DPAK Short circuit rated PowerMESH TM IGBT 08-Feb-2007

Descrição semelhante - STGD19N40LZ

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
ON Semiconductor	MGP15N40CL	100Kb / 8P	Internally Clamped N-Channel IGBT April, 2000 ??Rev. 1
STMicroelectronics	STGB18N40LZ	632Kb / 18P	EAS 180 mJ - 400 V - internally clamped IGBT 07-Mar-2008
	STGB18N40LZ_0805	636Kb / 18P	EAS 180 mJ - 400 V - internally clamped IGBT 07-May-2008
	STGB18N40LZ	896Kb / 19P	EAS 180 mJ - 390 V - internally clamped IGBT 18-May-2009
	STGP35N35LZ	720Kb / 18P	Automotive-grade 345 V internally clamped IGBT, EAS 450 mJ 28-May-2013
	STGB20N45LZAG	536Kb / 20P	Automotive-grade 450 V internally clamped IGBT ESCIS 300 mJ 21-Feb-2018
	STGB25N40LZAG	551Kb / 20P	Automotive-grade 400 V internally clamped IGBT ESCIS 320 mJ 13-Feb-2018
	STGB10NB37LZ	751Kb / 15P	10 A - 410 V internally clamped IGBT 06-Nov-2009
	STGB18N40LZT4	575Kb / 16P	Automotive-grade 390 V internally clamped IGBT ESCIS 180 mJ 11-Jan-2021
	STGD18N40LZT4	466Kb / 16P	Automotive-grade 390 V internally clamped IGBT ESCIS 180 mJ 20-Jan-2021

Sobre a STMicroelectronics

A STMicroelectronics é um fabricante multinacional de eletrônicos e semicondutores com sede em Genebra, Suíça.

A empresa oferece uma ampla gama de produtos, incluindo microcontroladores, sensores, amplificadores de energia e circuitos integrados para várias aplicações nos mercados automotivo, industrial e de consumo.

Fundada em 1987, a STMicroelectronics possui operações em mais de 100 países e é uma das maiores empresas de semicondutores do mundo.

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