2SD2161 Folha de dados(PDF)

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2SD2161 Folha de dados (PDF) - Inchange Semiconductor Company Limited

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2SD2161 Datasheet HTML 1Page - Inchange Semiconductor Company Limited

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2SD2161 Detalhes do produto

DESCRIPTION
• Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= 100V(Min)
• High DC Current Gain-
: hFE= 2000(Min)@ (VCE= 2V, IC= 2A)
• Low Collector Saturation Voltage-
: VCE(sat)= 1.5V(Max)@ (IC= 2A, IB= 2mA)

APPLICATIONS
• Designed for low-frequency power amplifiers and low-speed switching applications.

Nº de peça semelhante - 2SD2161

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
NEC	2SD2161	130Kb / 6P	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING
Renesas Technology Corp	2SD2161	281Kb / 8P	SILICON POWER TRANSISTOR 2002

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	MJ11032	51Kb / 2P	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor
	2SD1027	103Kb / 2P	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor
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	2SD1190	250Kb / 2P	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

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Sobre a Inchange Semiconductor Company Limited

A Inchange Semiconductor Company Limited é uma empresa de semicondutores chineses que foi fundada em 1997.

A empresa fornece uma ampla gama de produtos, incluindo dispositivos de energia discreta e analógica e diodos para várias aplicações nos mercados automotivo, industrial e de consumo.

A Inchange é conhecida por seu foco na qualidade e confiabilidade, e seus produtos são amplamente utilizados no gerenciamento de energia, iluminação e outras aplicações.

A empresa tem operações em vários países e é um dos principais fornecedores de dispositivos de energia e diodos na região da Ásia-Pacífico.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.

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