SSM3J132TU Folha de dados(PDF) - Toshiba Semiconductor

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SSM3J132TU Folha de dados (PDF) - Toshiba Semiconductor

SSM3J132TU Datasheet PDF - Toshiba Semiconductor


Nome de Peças	SSM3J132TU

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Fabricante Electrônico	TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]

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Descrição Electrónicos

TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOSVI)

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SSM3J132TU Detalhes do produto

○ Power Management Switch Applications

• 1.2-V drive
• Low ON-resistance: RDS(ON) = 94 mΩ (max) (@VGS = -1.2 V)
   RDS(ON) = 39 mΩ (max) (@VGS = -1.5 V)
   RDS(ON) = 29 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V)
   RDS(ON) = 21 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V)
   RDS(ON) = 17 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V)

Nº de peça semelhante - SSM3J132TU

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Toshiba Semiconductor	SSM3J132TU	1Mb / 73P	Bipolar Small-Signal Transistors
	SSM3J132TU	451Kb / 9P	MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOSVI) 2021-10-22 Rev.1.0
	SSM3J132TU	451Kb / 9P	MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOSVI) 2021-10-22 Rev.1.0

Descrição semelhante - SSM3J132TU

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Toshiba Semiconductor	SSM3J334R	235Kb / 6P	TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOSVI)
	SSM3J328R	235Kb / 6P	TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOSVI)
	SSM6J501NU	212Kb / 6P	TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type(U-MOSVI)
	SSM6J503NU	271Kb / 6P	TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOSVI)
	SSM3J56MFV	197Kb / 6P	TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOSVI)
	SSM3J130TU	210Kb / 6P	TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOSVI)
	SSM3J135TU	214Kb / 6P	TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOSVI)
	SSM6J213FE	226Kb / 6P	TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOSVI)
	SSM3J332R	351Kb / 6P	TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOSVI) 2018-10-15
	SSM3J334R	476Kb / 6P	TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOSVI) 2018-10-04

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