VB20120SG Folha de dados(PDF) - Vishay Siliconix

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VB20120SG Folha de dados (PDF) - Vishay Siliconix

VB20120SG Datasheet PDF - Vishay Siliconix


Nome de Peças	VB20120SG

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Fabricante Electrônico	VISHAY [Vishay Siliconix]

Página de início	http://www.vishay.com

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Descrição Electrónicos

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A

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Fabricante Electrônico	VISHAY [Vishay Siliconix]

Página de início	http://www.vishay.com

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Descrição Electrónicos	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A

VB20120SG Folha de dados (HTML) - Vishay Siliconix

VB20120SG Detalhes do produto

• Trench MOS Schottky technology
• Low forward voltage drop, low power losses
• High efficiency operation
• Solder bath temperature 275 °C max. 10 s,
per JESD 22-B106
• AEC-Q101 qualified

Nº de peça semelhante - VB20120SG

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Vishay Siliconix	VB20120SG	166Kb / 5P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A 19-May-08
	VB20120SG	160Kb / 5P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 24-Jun-09
	VB20120SG-E3	161Kb / 6P	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 13-Dec-16
	VB20120SG-E3-4W	160Kb / 5P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 24-Jun-09
	VB20120SG-E3-8W	160Kb / 5P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 24-Jun-09

Descrição semelhante - VB20120SG

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Vishay Siliconix	V20100SG	160Kb / 5P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A 19-Oct-07
	V10150S	166Kb / 5P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A 19-May-08
	V20100R	151Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A 19-May-08
	V20120SG	166Kb / 5P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A 19-May-08
	V30120S	165Kb / 5P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A 19-May-08
	VF20100R	83Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A 17-Aug-15
	V10150S	156Kb / 5P	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A 13-Aug-13
	VB20120SG-M3	88Kb / 4P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A 14-May-13
	VB20120C-M3	89Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A 14-May-13

Sobre a Vishay Siliconix

Vishay Siliconix é uma subsidiária da Vishay Intertechnology, fabricante global de componentes eletrônicos passivos.
Vishay Siliconix é especializado no design, fabricação e marketing de MOSFETS, IGBTS e outros semicondutores de energia.
A empresa foi fundada em 1962 e está sediada em Santa Clara, Califórnia.
O Vishay Siliconix fornece soluções de energia para uma variedade de aplicações, incluindo sistemas de energia renovável, equipamentos industriais, computação e telecomunicações e eletrônicos automotivos.
Os produtos da empresa são projetados para alta eficiência, baixo consumo de energia e alta confiabilidade e são fabricados em instalações de última geração usando processos avançados de fabricação.
Com foco na inovação e satisfação do cliente, a Vishay Siliconix está comprometida em fornecer a seus clientes as melhores soluções de gerenciamento de energia para atender às suas necessidades.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.

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