IRGBC30S Folha de dados(PDF) - International Rectifier

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IRGBC30S Folha de dados (PDF) - International Rectifier

IRGBC30S Datasheet PDF - International Rectifier


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Fabricante Electrônico	IRF [International Rectifier]

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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=18A)

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Fabricante Electrônico	IRF [International Rectifier]

Página de início	http://www.irf.com

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Descrição Electrónicos	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=18A)

IRGBC30S Folha de dados (HTML) - International Rectifier

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IRGBC30S Detalhes do produto

Description
Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) from International Rectifier have higher usable current densities than comparable bipolar transistors, while at the same time having simpler gate-drive requirements of the familiar power MOSFET. They provide substantial benefits to a host of high-voltage, high-current applications.

Features
• Switching-loss rating includes all "tail" losses
• Optimized for line frequency operation ( to 400 Hz)
See Fig. 1 for Current vs. Frequency Curve

Nº de peça semelhante - IRGBC30S

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
International Rectifier	IRGBC30S	98Kb / 35P	Fit Rate / Equivalent Device Hours

Descrição semelhante - IRGBC30S

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
International Rectifier	IRGBC20M-S	247Kb / 6P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=8.0A)
	IRGBC20S	274Kb / 7P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=10A)
	IRGBC30K-S	266Kb / 6P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=14A)
	IRGBC30U	244Kb / 6P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=12A)
	IRGBC40K	237Kb / 6P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=25A)
	IRGBC40U	244Kb / 6P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=20A)
	IRGPC30M	250Kb / 6P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=16A)
	IRGPC30S	253Kb / 6P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=18A)
	IRGPC40M	91Kb / 2P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=24A)
	IRGPH40M	84Kb / 2P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=18A)

Sobre a International Rectifier

O International Retificer (IR) era uma empresa americana especializada no design e fabricação de semicondutores de gerenciamento e controle de energia.
A empresa foi fundada em 1947 e estava sediada em El Segundo, Califórnia.
O IR forneceu uma ampla gama de produtos, incluindo ICs de gerenciamento de energia, MOSFETs de energia, IGBTS e outros produtos de controle de energia.
Os produtos da empresa foram usados em várias aplicações, como computação, telecomunicações e automação industrial.
A IR era conhecida por sua experiência em gerenciamento de energia e tecnologia de controle e sua capacidade de fornecer produtos de alta qualidade e confiáveis aos seus clientes.
Em 2014, a RI foi adquirida pela Infineon Technologies, uma provedora líder de produtos de gerenciamento e controle de energia e outras soluções de semicondutores.
A marca de retificador internacional não está mais em uso, mas sua tecnologia e produtos continuam fazendo parte do portfólio da Infineon.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.

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