IRG4RC10U Folha de dados(PDF) - International Rectifier

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IRG4RC10U Folha de dados (PDF) - International Rectifier

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Nome de Peças	IRG4RC10U

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Fabricante Electrônico	IRF [International Rectifier]

Página de início	http://www.irf.com

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Descrição Electrónicos

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.15V, @Vge=15V, Ic=5.0A)

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Fabricante Electrônico	IRF [International Rectifier]

Página de início	http://www.irf.com

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Descrição Electrónicos	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.15V, @Vge=15V, Ic=5.0A)

IRG4RC10U Folha de dados (HTML) - International Rectifier

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IRG4RC10U Detalhes do produto

Features
• UltraFast: Optimized for high operating frequencies ( 8-40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode)
• Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generation
• Industry standard TO-252AA package

Benefits
• Generation 4 IGBTs offer highest efficiency available
• IGBTs optimized for specified application conditions

Nº de peça semelhante - IRG4RC10U

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
International Rectifier	IRG4RC10UD	191Kb / 10P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.15V, @Vge=15V, Ic=5.0A)
	IRG4RC10UDPBF	308Kb / 11P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
	IRG4RC10UDPBF	308Kb / 11P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
	IRG4RC10UDPBF	308Kb / 11P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
	IRG4RC10UPBF	654Kb / 10P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Descrição semelhante - IRG4RC10U

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
International Rectifier	IRG4BC10UD	184Kb / 10P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.15V, @Vge=15V, Ic=5.0A)
	IRG4BC20U	167Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.85V, @Vge=15V, Ic=6.5A)
	IRG4BC30K	137Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)
	IRG4BC30U	167Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.95V, @Vge=15V, Ic=12A)
	IRG4BC40U	169Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.72V, @Vge=15V, Ic=20A)
	IRG4PC40U	148Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.1.72V, @Vge=15V, Ic=20A)
	IRG4PC50F	146Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.45V, @Vge=15V, Ic=39A)
	IRG4PH20K	229Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.17V, @Vge=15V, Ic=5.0A)
	IRG4RC10K	134Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.39V, @Vge=15V, Ic=5.0A)
	IRG4RC10UD	191Kb / 10P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.15V, @Vge=15V, Ic=5.0A)

Sobre a International Rectifier

O International Retificer (IR) era uma empresa americana especializada no design e fabricação de semicondutores de gerenciamento e controle de energia.
A empresa foi fundada em 1947 e estava sediada em El Segundo, Califórnia.
O IR forneceu uma ampla gama de produtos, incluindo ICs de gerenciamento de energia, MOSFETs de energia, IGBTS e outros produtos de controle de energia.
Os produtos da empresa foram usados em várias aplicações, como computação, telecomunicações e automação industrial.
A IR era conhecida por sua experiência em gerenciamento de energia e tecnologia de controle e sua capacidade de fornecer produtos de alta qualidade e confiáveis aos seus clientes.
Em 2014, a RI foi adquirida pela Infineon Technologies, uma provedora líder de produtos de gerenciamento e controle de energia e outras soluções de semicondutores.
A marca de retificador internacional não está mais em uso, mas sua tecnologia e produtos continuam fazendo parte do portfólio da Infineon.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.

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