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IRG4BC20FD Folha de dados (PDF) - International Rectifier
IRG4BC20FD Datasheet PDF - International Rectifier
Nome de Peças IRG4BC20FD
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Tamanho do Arquivo   222.29 Kbytes
página   10 Pages
Fabricante Electrônico  IRF [International Rectifier]
Página de início  http://www.irf.com
Logo IRF - International Rectifier
Descrição Electrónicos INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A)

IRG4BC20FD Datasheet (PDF)

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Fabricante Electrônico  IRF [International Rectifier]
Página de início  http://www.irf.com
Logo IRF - International Rectifier
Descrição Electrónicos INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A)

IRG4BC20FD Folha de dados (HTML) - International Rectifier


IRG4BC20FD Detalhes do produto

Features
• Fast: optimized for medium operating frequencies
   ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode).
• Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution
   and higher efficiency than Generation 3
• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery
   anti-parallel diodes for use in bridge configurations
• Industry standard TO-220AB package

Benefits
• Generation -4 IGBTs offer highest efficiencies available
• IGBTs optimized for specific application conditions
• HEXFRED diodes optimized for performance with IGBTs.
   Minimized recovery characteristics require less/no snubbing
• Designed to be a "drop-in" replacement for equivalent
   industry-standard Generation 3 IR IGBTs




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International Rectifier		 IRG4BC20FD IRF-IRG4BC20FD Datasheet
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IRG4BC20FD-S IRF-IRG4BC20FD-S Datasheet
222Kb / 10P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A)
IRG4BC20FD-SPBF IRF-IRG4BC20FD-SPBF Datasheet
298Kb / 12P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Fast CoPack IGBT
IRG4BC20FD-STRL IRF-IRG4BC20FD-STRL Datasheet
222Kb / 10P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A)
IRG4BC20FDPBF IRF-IRG4BC20FDPBF Datasheet
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161Kb / 8P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A)
IRG4BC20FD-S IRF-IRG4BC20FD-S Datasheet
222Kb / 10P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A)
IRG4BC20K IRF-IRG4BC20K Datasheet
138Kb / 8P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.27V, @Vge=15V, Ic=9.0A)
IRG4BC20KD IRF-IRG4BC20KD Datasheet
199Kb / 10P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.27V, @Vge=15V, Ic=9.0A)
IRG4BC20KDS IRF-IRG4BC20KDS Datasheet
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Sobre a International Rectifier

O International Retificer (IR) era uma empresa americana especializada no design e fabricação de semicondutores de gerenciamento e controle de energia.
A empresa foi fundada em 1947 e estava sediada em El Segundo, Califórnia.
O IR forneceu uma ampla gama de produtos, incluindo ICs de gerenciamento de energia, MOSFETs de energia, IGBTS e outros produtos de controle de energia.
Os produtos da empresa foram usados ​​em várias aplicações, como computação, telecomunicações e automação industrial.
A IR era conhecida por sua experiência em gerenciamento de energia e tecnologia de controle e sua capacidade de fornecer produtos de alta qualidade e confiáveis ​​aos seus clientes.
Em 2014, a RI foi adquirida pela Infineon Technologies, uma provedora líder de produtos de gerenciamento e controle de energia e outras soluções de semicondutores.
A marca de retificador internacional não está mais em uso, mas sua tecnologia e produtos continuam fazendo parte do portfólio da Infineon.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.




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