IRFP140N Folha de dados(PDF) - International Rectifier

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IRFP140N Folha de dados (PDF) - International Rectifier

IRFP140N Datasheet PDF - International Rectifier


Nome de Peças	IRFP140N

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Fabricante Electrônico	IRF [International Rectifier]

Página de início	http://www.irf.com

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Descrição Electrónicos

Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0,052ohm, Id=33A)

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Nome de Peças	IRFP140N

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Fabricante Electrônico	IRF [International Rectifier]

Página de início	http://www.irf.com

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Descrição Electrónicos	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0,052ohm, Id=33A)

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IRFP140N Detalhes do produto

Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient device for use in a wide variety of applications.
The TO-247 package is preferred for commercial-industrial applications where higher power levels preclude the use of TO-220 devices. The TO-247 is similar but superior to the earlier TO-218 package because of its isolated mounting hole.

● Advanced Process Technology
● Dynamic dv/dt Rating
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Fully Avalanche Rated

Nº de peça semelhante - IRFP140N

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Intersil Corporation	IRFP140N	126Kb / 10P	33A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel Power MOSFET March 2000
Inchange Semiconductor ...	IRFP140N	334Kb / 2P	N-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier	IRFP140NPBF	345Kb / 8P	HEXFET Power MOSFET
International Rectifier	IRFP140NPBF	353Kb / 9P	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY
VBsemi Electronics Co.,...	IRFP140NPBF	1Mb / 7P	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

Descrição semelhante - IRFP140N

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
International Rectifier	IRC540	222Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.077ohm, Id=28A)
	IRF1310N	96Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.036ohm, Id=42A)
	IRF3710S	184Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.025ohm, Id=57A)
	IRF520VS	129Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.165ohm, Id=9.6A)
	IRF540N	99Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=44mohm, Id=33A)
	IRF540NS	125Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=44mohm, Id=33A)
	IRFB33N15D	139Kb / 11P	Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.056ohm, Id=33A)
	IRFIZ46N	104Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.020ohm, Id=33A)
	IRFR1111	112Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.031ohm, Id=33A??
	IRFRU5410	215Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.205ohm, Id=-13A)

Sobre a International Rectifier

O International Retificer (IR) era uma empresa americana especializada no design e fabricação de semicondutores de gerenciamento e controle de energia.
A empresa foi fundada em 1947 e estava sediada em El Segundo, Califórnia.
O IR forneceu uma ampla gama de produtos, incluindo ICs de gerenciamento de energia, MOSFETs de energia, IGBTS e outros produtos de controle de energia.
Os produtos da empresa foram usados em várias aplicações, como computação, telecomunicações e automação industrial.
A IR era conhecida por sua experiência em gerenciamento de energia e tecnologia de controle e sua capacidade de fornecer produtos de alta qualidade e confiáveis aos seus clientes.
Em 2014, a RI foi adquirida pela Infineon Technologies, uma provedora líder de produtos de gerenciamento e controle de energia e outras soluções de semicondutores.
A marca de retificador internacional não está mais em uso, mas sua tecnologia e produtos continuam fazendo parte do portfólio da Infineon.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.

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