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IRFIBF30G Folha de dados (PDF) - International Rectifier
IRFIBF30G Datasheet PDF - International Rectifier
Nome de Peças IRFIBF30G
Download  IRFIBF30G Download
Tamanho do Arquivo   167.58 Kbytes
página   6 Pages
Fabricante Electrônico  IRF [International Rectifier]
Página de início  http://www.irf.com
Logo IRF - International Rectifier
Descrição Electrónicos Power MOSFET(Vdss=900V, Rds(on)=3.7ohm, Id=1.9A)

IRFIBF30G Datasheet (PDF)

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IRFIBF30G Datasheet PDF - International Rectifier

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Fabricante Electrônico  IRF [International Rectifier]
Página de início  http://www.irf.com
Logo IRF - International Rectifier
Descrição Electrónicos Power MOSFET(Vdss=900V, Rds(on)=3.7ohm, Id=1.9A)

IRFIBF30G Folha de dados (HTML) - International Rectifier


IRFIBF30G Detalhes do produto

Description
Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

• Isolated Package
• High Voltage Isolation = 2.5 KVRMS
• Sink to Lead Creepage Dis. = 4.8 mm
• Dynamic dV/dt Rating
• Low Thermal Resistance
• Lead-Free




Nº de peça semelhante - IRFIBF30G

Fabricante ElectrônicoNome de PeçasFolha de dadosDescrição Electrónicos
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Vishay Siliconix		 IRFIBF30G VISHAY-IRFIBF30G Datasheet
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16-Jun-08
logo
International Rectifier		 IRFIBF30GPBF IRF-IRFIBF30GPBF Datasheet
920Kb / 8P		 HEXFET Power MOSFET
logo
Vishay Siliconix		 IRFIBF30GPBF VISHAY-IRFIBF30GPBF Datasheet
1Mb / 8P		 Power MOSFET
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311Kb / 10P		 Power MOSFET(Vdss=900V, Rds(on)=8.0ohm, Id=1.7A)
IRFBF30 IRF-IRFBF30 Datasheet
166Kb / 6P		 Power MOSFET(Vdss=900V, Rds(on)=3.7ohm, Id=3.6A)
IRFIBF20G IRF-IRFIBF20G Datasheet
168Kb / 6P		 Power MOSFET(Vdss=900V, Rds(on)=8.0ohm, Id=1.2A)
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IRFPF40 IRF-IRFPF40 Datasheet
170Kb / 6P		 Power MOSFET(Vdss=900V, Rds(on)=2.5ohm, Id=4.7A)
IRFPF50 IRF-IRFPF50 Datasheet
167Kb / 6P		 Power MOSFET(Vdss=900V, Rds(on)=1.6ohm, Id=6.7A)
IRFR9210 IRF-IRFR9210 Datasheet
172Kb / 6P		 Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=3.0ohm, Id=-1.9A)
IRFR9210PBF IRF-IRFR9210PBF Datasheet
1Mb / 10P		 HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = -200V , RDS(on) = 3.0廓 , ID = -1.9A )
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Sobre a International Rectifier

O International Retificer (IR) era uma empresa americana especializada no design e fabricação de semicondutores de gerenciamento e controle de energia.
A empresa foi fundada em 1947 e estava sediada em El Segundo, Califórnia.
O IR forneceu uma ampla gama de produtos, incluindo ICs de gerenciamento de energia, MOSFETs de energia, IGBTS e outros produtos de controle de energia.
Os produtos da empresa foram usados ​​em várias aplicações, como computação, telecomunicações e automação industrial.
A IR era conhecida por sua experiência em gerenciamento de energia e tecnologia de controle e sua capacidade de fornecer produtos de alta qualidade e confiáveis ​​aos seus clientes.
Em 2014, a RI foi adquirida pela Infineon Technologies, uma provedora líder de produtos de gerenciamento e controle de energia e outras soluções de semicondutores.
A marca de retificador internacional não está mais em uso, mas sua tecnologia e produtos continuam fazendo parte do portfólio da Infineon.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.




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