IRF9Z24N Folha de dados(PDF) - International Rectifier

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IRF9Z24N Folha de dados (PDF) - International Rectifier

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Fabricante Electrônico	IRF [International Rectifier]

Página de início	http://www.irf.com

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Descrição Electrónicos

Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.175ohm, Id=-12A)

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Fabricante Electrônico	IRF [International Rectifier]

Página de início	http://www.irf.com

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Descrição Electrónicos	Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.175ohm, Id=-12A)

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IRF9Z24N Detalhes do produto

Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

● Advanced Process Technology
● Dynamic dv/dt Rating
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● P-Channel
● Fully Avalanche Rated

Nº de peça semelhante - IRF9Z24N

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Kersemi Electronic Co.,...	IRF9Z24N	720Kb / 8P	Advanced Process Technology
Guangdong Youtai Semico...	IRF9Z24N	550Kb / 8P	-55V P-Channel MOSFET
International Rectifier	IRF9Z24NL	168Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.175ohm, Id=-12A)
	IRF9Z24NL	179Kb / 11P	Advanced Process Technology
	IRF9Z24NLPBF	394Kb / 11P	HEXFET Power MOSFET

Descrição semelhante - IRF9Z24N

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
International Rectifier	IRF3205	92Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=8.0mohm, Id=110A??
	IRF3205S	160Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=8.0mohm, Id=110A??
	IRF9Z24NS	168Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.175ohm, Id=-12A)
	IRF9Z34N	108Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.10ohm, Id=-19A)
	IRF9Z34NS	162Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.10ohm, Id=-19A)
	IRFBA1405P	238Kb / 9P	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=5.0mohm, Id=174A??
	IRFI1010N	109Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.012ohm, Id=49A)
	IRFR2605	345Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.075ohm, Id=19A)
	IRFRU9024N	117Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.175ohm, Id=-11A)
	IRFZ24N	123Kb / 8P	Power MOSFET (Vdss=55V, Rds(on)=0.07ohm, Id=17A)

Sobre a International Rectifier

O International Retificer (IR) era uma empresa americana especializada no design e fabricação de semicondutores de gerenciamento e controle de energia.
A empresa foi fundada em 1947 e estava sediada em El Segundo, Califórnia.
O IR forneceu uma ampla gama de produtos, incluindo ICs de gerenciamento de energia, MOSFETs de energia, IGBTS e outros produtos de controle de energia.
Os produtos da empresa foram usados em várias aplicações, como computação, telecomunicações e automação industrial.
A IR era conhecida por sua experiência em gerenciamento de energia e tecnologia de controle e sua capacidade de fornecer produtos de alta qualidade e confiáveis aos seus clientes.
Em 2014, a RI foi adquirida pela Infineon Technologies, uma provedora líder de produtos de gerenciamento e controle de energia e outras soluções de semicondutores.
A marca de retificador internacional não está mais em uso, mas sua tecnologia e produtos continuam fazendo parte do portfólio da Infineon.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.

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