IRF5N3205 Folha de dados(PDF) - International Rectifier

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IRF5N3205 Folha de dados (PDF) - International Rectifier

IRF5N3205 Datasheet PDF - International Rectifier


Nome de Peças	IRF5N3205

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Fabricante Electrônico	IRF [International Rectifier]

Página de início	http://www.irf.com

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Descrição Electrónicos

POWER MOSFET N-CHANNEL(Vdss=55V, Rds(on)=0.008ohm, Id=55A*)

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Fabricante Electrônico	IRF [International Rectifier]

Página de início	http://www.irf.com

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Descrição Electrónicos	POWER MOSFET N-CHANNEL(Vdss=55V, Rds(on)=0.008ohm, Id=55A*)

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IRF5N3205 Detalhes do produto

Fifth Generation HEXFET® power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon unit area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient device for use in a wide variety of applications.

Features:
■ Low RDS(on)
■ Avalanche Energy Ratings
■ Dynamic dv/dt Rating
■ Simple Drive Requirements
■ Ease of Paralleling
■ Hermetically Sealed
■ Light Weight

Nº de peça semelhante - IRF5N3205

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
International Rectifier	IRF5N3205	171Kb / 7P	HEXFET POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-1)
	IRF5N3205	176Kb / 7P	Avalanche Energy Ratings
	IRF5N3205	171Kb / 7P	HEXFET POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-1)
	IRF5N3205	176Kb / 7P	Avalanche Energy Ratings

Descrição semelhante - IRF5N3205

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
International Rectifier	IRF5M3205	113Kb / 7P	POWER MOSFET N-CHANNEL(Vdss=55V, Rds(on)=0.015ohm, Id=35A)
	IRF5N4905	119Kb / 7P	POWER MOSFET P-CHANNEL(Vdss=-55V, Rds(on)=0.024ohm, Id=-55A*)
	IRF5NJZ48	116Kb / 7P	POWER MOSFET N-CHANNEL(Vdss=55V, Rds(on)=0.016ohm, Id=22A*)
	IRF5Y3205CM	103Kb / 7P	POWER MOSFET N-CHANNEL(Vdss=55V, Rds(on)=0.022ohm, Id=18A*)
	IRF5YZ48CM	105Kb / 7P	POWER MOSFET N-CHANNEL(Vdss=55V, Rds(on)=0.029ohm, Id=18A*)
	IRF7463	84Kb / 7P	Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=0.008ohm, Id=14A)
	IRFI3205	107Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.008ohm, Id=64A)
	IRFP064N	107Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.008ohm, Id=110A??
	IRFZ44V	229Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=16.5mw, Id=55A)
	IRFZ44VS	145Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=16.5mohm, Id=55A)

Sobre a International Rectifier

O International Retificer (IR) era uma empresa americana especializada no design e fabricação de semicondutores de gerenciamento e controle de energia.
A empresa foi fundada em 1947 e estava sediada em El Segundo, Califórnia.
O IR forneceu uma ampla gama de produtos, incluindo ICs de gerenciamento de energia, MOSFETs de energia, IGBTS e outros produtos de controle de energia.
Os produtos da empresa foram usados em várias aplicações, como computação, telecomunicações e automação industrial.
A IR era conhecida por sua experiência em gerenciamento de energia e tecnologia de controle e sua capacidade de fornecer produtos de alta qualidade e confiáveis aos seus clientes.
Em 2014, a RI foi adquirida pela Infineon Technologies, uma provedora líder de produtos de gerenciamento e controle de energia e outras soluções de semicondutores.
A marca de retificador internacional não está mais em uso, mas sua tecnologia e produtos continuam fazendo parte do portfólio da Infineon.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.

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