IRF520N Folha de dados(PDF) - International Rectifier

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IRF520N Folha de dados (PDF) - International Rectifier

IRF520N Datasheet PDF - International Rectifier


Nome de Peças	IRF520N

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Fabricante Electrônico	IRF [International Rectifier]

Página de início	http://www.irf.com

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Descrição Electrónicos

Power MOSFET(Vdss = 100 V, Rds(on) = 0.20 Ohm, Id= 9.7A)

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Fabricante Electrônico	IRF [International Rectifier]

Página de início	http://www.irf.com

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Descrição Electrónicos	Power MOSFET(Vdss = 100 V, Rds(on) = 0.20 Ohm, Id= 9.7A)

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IRF520N Detalhes do produto

Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

• Advanced Process Technology
• Dynamic dv/dt Rating
• 175°C Operating Temperature
• Fast Switching
• Fully Avalanche Rated

Nº de peça semelhante - IRF520N

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Inchange Semiconductor ...	IRF520N	294Kb / 2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier	IRF520NL	195Kb / 11P	Advanced Process Technology
Kersemi Electronic Co.,...	IRF520NL	1Mb / 10P	Low-profile through-hole (IRF520NL)
Inchange Semiconductor ...	IRF520NL	300Kb / 2P	Isc N-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier	IRF520NLPBF	405Kb / 10P	Advamced {rpcess Technology Surface Mount

Descrição semelhante - IRF520N

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
International Rectifier	IRF1010NS	146Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss = 55 V, Rds(on)=11mohm, Id=85A??
	IRF520NS	185Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=9.7A)
	IRFP250N	122Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss = 200 V, Rds(on)=0.075ohm, Id=30A)
	IRFP254	162Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss = 250 V, Rds(on)=0.14ohm, Id=23A)
	IRFZ24NS	159Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.07ohm, Id=17A)
	IRFR014	172Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss = 60 V, Rds(on) = 0.20 Ohm, Id= 7.7A)
	IRLI530GPBF	937Kb / 7P	HEXFET Power MOSFET ( VDSS=100V , RDS(on)=0.16廓 , ID=9.7A )
	IRFL4310PBF	662Kb / 9P	HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(on) = 0.20廓 , ID = 1.6A )
TRANSYS Electronics Lim...	IRF840	152Kb / 1P	Power MOSFET ( VDSS = 500V, RDS(on) = 0.85 ohm, ID = 8.0 A )
International Rectifier	IRLI530G	175Kb / 6P	HEXFET Power MOSFET ( VDSS=100V , RDS(on)=0.16廓 , ID=9.7A )

Sobre a International Rectifier

O International Retificer (IR) era uma empresa americana especializada no design e fabricação de semicondutores de gerenciamento e controle de energia.
A empresa foi fundada em 1947 e estava sediada em El Segundo, Califórnia.
O IR forneceu uma ampla gama de produtos, incluindo ICs de gerenciamento de energia, MOSFETs de energia, IGBTS e outros produtos de controle de energia.
Os produtos da empresa foram usados em várias aplicações, como computação, telecomunicações e automação industrial.
A IR era conhecida por sua experiência em gerenciamento de energia e tecnologia de controle e sua capacidade de fornecer produtos de alta qualidade e confiáveis aos seus clientes.
Em 2014, a RI foi adquirida pela Infineon Technologies, uma provedora líder de produtos de gerenciamento e controle de energia e outras soluções de semicondutores.
A marca de retificador internacional não está mais em uso, mas sua tecnologia e produtos continuam fazendo parte do portfólio da Infineon.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.

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