IRF1310S Folha de dados(PDF) - International Rectifier

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IRF1310S Folha de dados (PDF) - International Rectifier

IRF1310S Datasheet PDF - International Rectifier


Nome de Peças	IRF1310S

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Fabricante Electrônico	IRF [International Rectifier]

Página de início	http://www.irf.com

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Descrição Electrónicos

Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.04ohm, Id=41A)

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Nome de Peças	IRF1310S

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Fabricante Electrônico	IRF [International Rectifier]

Página de início	http://www.irf.com

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Descrição Electrónicos	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.04ohm, Id=41A)

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IRF1310S Detalhes do produto

VDSS = 100V
RDS(on) = 0.04Ω
ID = 41A

Description
Fourth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient device for use in a wide variety of applications.

● Advanced Process Technology
● Ultra Low On-Resistance
● Surface Mount
● Available in Tape & Reel
● Dynamic dv/dt Rating
● Repetitive Avalanche Rated
● 175°C Operating Temperature

Nº de peça semelhante - IRF1310S

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
International Rectifier	IRF1310N	96Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.036ohm, Id=42A)
Inchange Semiconductor ...	IRF1310N	338Kb / 2P	N-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier	IRF1310NL	156Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.036ohm, Id=42A)
Kersemi Electronic Co.,...	IRF1310NL	1Mb / 10P	Advanced Process Technology
Inchange Semiconductor ...	IRF1310NL	300Kb / 2P	Isc N-Channel MOSFET Transistor

Descrição semelhante - IRF1310S

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
International Rectifier	IRC540	222Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.077ohm, Id=28A)
	IRF1310N	96Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.036ohm, Id=42A)
	IRF3515S	126Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.045ohm, Id=41A)
	IRF3710S	184Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.025ohm, Id=57A)
	IRF520VS	129Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.165ohm, Id=9.6A)
	IRFB41N15D	193Kb / 11P	Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.045ohm, Id=41A)
	IRFI1310G	361Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.04ohm, Id=22A)
	IRFIZ34N	105Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.04ohm, Id=21A)
	IRFP260N	122Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.04ohm, Id=50A)
	IRFRU5410	215Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.205ohm, Id=-13A)

Sobre a International Rectifier

O International Retificer (IR) era uma empresa americana especializada no design e fabricação de semicondutores de gerenciamento e controle de energia.
A empresa foi fundada em 1947 e estava sediada em El Segundo, Califórnia.
O IR forneceu uma ampla gama de produtos, incluindo ICs de gerenciamento de energia, MOSFETs de energia, IGBTS e outros produtos de controle de energia.
Os produtos da empresa foram usados em várias aplicações, como computação, telecomunicações e automação industrial.
A IR era conhecida por sua experiência em gerenciamento de energia e tecnologia de controle e sua capacidade de fornecer produtos de alta qualidade e confiáveis aos seus clientes.
Em 2014, a RI foi adquirida pela Infineon Technologies, uma provedora líder de produtos de gerenciamento e controle de energia e outras soluções de semicondutores.
A marca de retificador internacional não está mais em uso, mas sua tecnologia e produtos continuam fazendo parte do portfólio da Infineon.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.

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