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RFP3N50 Folha de dados (PDF) - Intersil Corporation

RFP3N50 Datasheet PDF - Intersil Corporation
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Fabricante Electrônico  INTERSIL [Intersil Corporation]
Página de início  http://www.intersil.com/cda/home
Logo INTERSIL - Intersil Corporation
Descrição Electrónicos 3A, 450V and 500V, 3 Ohm, N-Channel Power MOSFETs

RFP3N50 Datasheet (PDF)

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Fabricante Electrônico  INTERSIL [Intersil Corporation]
Página de início  http://www.intersil.com/cda/home
Logo INTERSIL - Intersil Corporation
Descrição Electrónicos 3A, 450V and 500V, 3 Ohm, N-Channel Power MOSFETs

RFP3N50 Folha de dados (HTML) - Intersil Corporation


RFP3N50 Detalhes do produto

These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors designed for applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers, relay drivers, and drivers for high power bipolar switching transistors requiring high speed and low gate drive power. These types can be operated directly from integrated circuits.
Formerly developmental type TA17405.

Features
• 3A, 450V and 500V
• rDS(ON) = 3Ω
• Related Literature
    - TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount Components to PC Boards”




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10A, 450V and 500V, 0.600 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
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Sobre a Intersil Corporation


A Intersil Corporation era uma empresa de semicondutores americanos especializada no design e fabricação de circuitos analógicos de alto desempenho e integrados de sinal misto.
A empresa foi fundada em 1967 e era conhecida por sua experiência em gerenciamento de energia, conversão de dados e tecnologias de radiofrequência (RF).
Os produtos da Intersil foram usados ​​em uma ampla gama de aplicações, como eletrônicos de consumo, industrial, telecomunicações e aeroespacial e defesa.
Em 2016, a Intersil foi adquirida pela Renesas Electronics Corporation, uma empresa de semicondutores japoneses.
A marca Intersil e a tecnologia continuam sendo desenvolvidas e vendidas como parte do portfólio de produtos da Renesas.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.




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