HGTP3N60B3D Folha de dados(PDF) - Intersil Corporation

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HGTP3N60B3D Folha de dados (PDF) - Intersil Corporation

HGTP3N60B3D Datasheet PDF - Intersil Corporation


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Fabricante Electrônico	INTERSIL [Intersil Corporation]

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7A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

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Descrição Electrónicos	7A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

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HGTP3N60B3D Detalhes do produto

The HGTP3N60B3D and HGT1S3N60B3DS are MOS gated high voltage switching devices combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. These devices have the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower onstate voltage drop varies only moderately between 25oC and 150oC. The diode used in anti-parallel with the IGBT is the RHRD460. The IGBT used is TA49192.

Features
• 7A, 600V TC = 25°C
• 600V Switching SOA Capability
• Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 115ns at TJ = 125°C
• Short Circuit Rating
• Low Conduction Loss
• Hyperfast Anti-Parallel Diode
• Related Literature
• TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount
- Components to PC Boards

Nº de peça semelhante - HGTP3N60B3D

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Intersil Corporation	HGTP3N60B3	141Kb / 7P	7A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs January 2000

Descrição semelhante - HGTP3N60B3D

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Harris Corporation	HGTG12N60C3D	102Kb / 7P	24A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
Fairchild Semiconductor	HGTG20N60B3D	179Kb / 7P	40A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
Fairchild Semiconductor	HGTG20N60C3D	123Kb / 8P	45A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
Intersil Corporation	HGTG12N60C3D	98Kb / 7P	24A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode January 2000
	HGTG20N60B3D	135Kb / 6P	40A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode January 2000
	HGTG30N60B3D	109Kb / 7P	60A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode January 2000
Fairchild Semiconductor	HGTG12N60C3D	124Kb / 8P	24A, 600V, UFS SERIES N-CHANNEL IGBT WITH ANTI-PARALLEL HYPERFAST DIODE
Fairchild Semiconductor	HGTG30N60B3D	228Kb / 8P	60A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
Harris Corporation	HGTP3N60C3D	394Kb / 11P	6A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
Harris Corporation	HGTG30N60C3D	131Kb / 8P	63A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

Sobre a Intersil Corporation

A Intersil Corporation era uma empresa de semicondutores americanos especializada no design e fabricação de circuitos analógicos de alto desempenho e integrados de sinal misto.
A empresa foi fundada em 1967 e era conhecida por sua experiência em gerenciamento de energia, conversão de dados e tecnologias de radiofrequência (RF).
Os produtos da Intersil foram usados em uma ampla gama de aplicações, como eletrônicos de consumo, industrial, telecomunicações e aeroespacial e defesa.
Em 2016, a Intersil foi adquirida pela Renesas Electronics Corporation, uma empresa de semicondutores japoneses.
A marca Intersil e a tecnologia continuam sendo desenvolvidas e vendidas como parte do portfólio de produtos da Renesas.

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