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HGTP10N40C1 Folha de dados (PDF) - Intersil Corporation
HGTP10N40C1 Datasheet PDF - Intersil Corporation
Nome de Peças HGTP10N40C1
Download  HGTP10N40C1 Download
Tamanho do Arquivo   38.89 Kbytes
página   7 Pages
Fabricante Electrônico  INTERSIL [Intersil Corporation]
Página de início  http://www.intersil.com/cda/home
Logo INTERSIL - Intersil Corporation
Descrição Electrónicos 10A, 12A, 400V and 500V N-Channel IGBTs

HGTP10N40C1 Datasheet (PDF)

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HGTP10N40C1 Datasheet PDF - Intersil Corporation

Nome de Peças HGTP10N40C1
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Tamanho do Arquivo   38.89 Kbytes
página   7 Pages
Fabricante Electrônico  INTERSIL [Intersil Corporation]
Página de início  http://www.intersil.com/cda/home
Logo INTERSIL - Intersil Corporation
Descrição Electrónicos 10A, 12A, 400V and 500V N-Channel IGBTs

HGTP10N40C1 Folha de dados (HTML) - Intersil Corporation


HGTP10N40C1 Detalhes do produto

Description
The HGTH12N40C1, HGTH12N40E1, HGTH12N50C1, HGTH12N50E1, HGTP10N40C1, HGTP10N40E1, HGTP10N50C1 and HGTP10N50E1 are n-channel enhancement-mode insulated gate bipolar transistors (IGBTs) designed for high-voltage, low on-dissipation applications such as switching regulators and motor drivers. These types can be operated directly from low-power integrated circuits.

Features
• 10A and 12A, 400V and 500V
• VCE(ON): 2.5V Max.
• TFI: 1µs, 0.5µs
• Low On-State Voltage
• Fast Switching Speeds
• High Input Impedance
• No Anti-Parallel Diode

Applications
• Power Supplies
• Motor Drives
• Protection Circuits




Nº de peça semelhante - HGTP10N40C1

Fabricante ElectrônicoNome de PeçasFolha de dadosDescrição Electrónicos
logo
Intersil Corporation		 HGTP10N40C1D INTERSIL-HGTP10N40C1D Datasheet
37Kb / 6P		 10A, 400V and 500V N-Channel IGBTs with Anti-Parallel Ultrafast Diodes
April 1995
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Descrição semelhante - HGTP10N40C1

Fabricante ElectrônicoNome de PeçasFolha de dadosDescrição Electrónicos
logo
Intersil Corporation		 2N6975 INTERSIL-2N6975 Datasheet
40Kb / 4P		 5A, 400V and 500V N-Channel IGBTs
April 1995
HGTD10N40F1 INTERSIL-HGTD10N40F1 Datasheet
33Kb / 4P		 10A, 400V and 500V N-Channel IGBTs
March 1997
HGTD6N40E1 INTERSIL-HGTD6N40E1 Datasheet
32Kb / 4P		 6A, 400V and 500V N-Channel IGBTs
March 1997
HGTH20N40C1D INTERSIL-HGTH20N40C1D Datasheet
35Kb / 6P		 20A, 400V and 500V N-Channel IGBTs with Anti-Parallel Ultrafast Diodes
April 1995
HGTP10N40C1D INTERSIL-HGTP10N40C1D Datasheet
37Kb / 6P		 10A, 400V and 500V N-Channel IGBTs with Anti-Parallel Ultrafast Diodes
April 1995
HGTP10N40F1D INTERSIL-HGTP10N40F1D Datasheet
34Kb / 5P		 10A, 400V and 500V N-Channel IGBTs with Anti-Parallel Ultrafast Diodes
April 1995
HGTP15N40C1 INTERSIL-HGTP15N40C1 Datasheet
35Kb / 5P		 15A, 20A, 400V and 500V N-Channel IGBTs
April 1995
logo
Alpha & Omega Semicondu...		 AOT12N50 AOSMD-AOT12N50 Datasheet
180Kb / 6P		 500V, 12A N-Channel MOSFET
AOB12N50 AOSMD-AOB12N50 Datasheet
262Kb / 6P		 500V, 12A N-Channel MOSFET
More results




Sobre a Intersil Corporation

A Intersil Corporation era uma empresa de semicondutores americanos especializada no design e fabricação de circuitos analógicos de alto desempenho e integrados de sinal misto.
A empresa foi fundada em 1967 e era conhecida por sua experiência em gerenciamento de energia, conversão de dados e tecnologias de radiofrequência (RF).
Os produtos da Intersil foram usados ​​em uma ampla gama de aplicações, como eletrônicos de consumo, industrial, telecomunicações e aeroespacial e defesa.
Em 2016, a Intersil foi adquirida pela Renesas Electronics Corporation, uma empresa de semicondutores japoneses.
A marca Intersil e a tecnologia continuam sendo desenvolvidas e vendidas como parte do portfólio de produtos da Renesas.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.




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