IRF152 Folha de dados(PDF) - New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

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IRF152 Detalhes do produto

FEATURES
● LOW RDS(on)
● Improved Inductive ruggedness
● Fast switching times
● Rugged polyslllcon gate cell structure
● Low input capacitance
● Extended safe operating area
● Improved high temperature reliability
● TO-3 package(High current)

Nº de peça semelhante - IRF152

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Samsung semiconductor	IRF152	210Kb / 5P	N-CHANNEL POWER MOSFETS
Fairchild Semiconductor	IRF152	125Kb / 4P	N-Channel Power MOSFETs, 40 A, 60 V/100 V
IXYS Corporation	IRF152	44Kb / 1P	HIGH VOLTAGE POWER MOSFET DIE
Inchange Semiconductor ...	IRF152	48Kb / 2P	High Power,High Speed Applications
International Rectifier	IRF1520G	178Kb / 6P	HEXFET POWER MOSFET

Descrição semelhante - IRF152

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Samsung semiconductor	IRF130	211Kb / 5P	N-CHANNEL POWER MOSFETS
	IRF140	211Kb / 5P	N-CHANNEL POWER MOSFETS
	IRF530	354Kb / 6P	N-CHANNEL POWER MOSFETS
	IRFP250	518Kb / 7P	N-Channel Power Mosfets
	SSH5N90	264Kb / 5P	N-CHANNEL POWER MOSFETS
	SSS7N60	280Kb / 5P	N-CHANNEL POWER MOSFETS
	IRFZ45	197Kb / 5P	N-CHANNEL POWER MOSFETS
New Jersey Semi-Conduct...	IRF440	137Kb / 3P	N-CHANNEL POWER MOSFETS
New Jersey Semi-Conduct...	2N6769	89Kb / 2P	N-Channel Power MOSFETs,
ARTSCHIP ELECTRONICS CO...	IRF340	345Kb / 5P	N-Channel Power MOSFETs

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