GP800NSS33 Folha de dados(PDF)

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GP800NSS33 Folha de dados (PDF) - Dynex Semiconductor

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GP800NSS33 Detalhes do produto

The Powerline range of high power modules includes dual, half bridge and single switch configurations covering voltages from 600V to 3300V and currents up to 4800A.
The GP800NSS33 is a single switch 3300V, n channel enhancement mode, insulated gate bipolar transistor (IGBT) module. The IGBT has a wide reverse bias safe operating area (RBSOA) ensuring reliability in demanding applications.

FEATURES
■ Non Punch Through Silicon
■ Isolated Copper Baseplate with AL2O3 Substrate
■ Low Inductance Internal Construction

APPLICATIONS
■ High Power Inverters
■ Motor Controllers
■ Induction Heating
■ Resonant Converters

Nº de peça semelhante - GP800NSS33

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Dynex Semiconductor	GP800NSM33	93Kb / 9P	Hi-Reliability Single Switch IGBT Module Preliminary Information

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Sobre a Dynex Semiconductor

A Dynex Semiconductor era uma empresa britânica especializada no design e fabricação de semicondutores de alta potência.
A empresa foi fundada em 1967 e estava sediada em Lincoln, Inglaterra.
A Dynex era conhecida por sua experiência em tecnologia de semicondutores de alta potência e sua capacidade de fornecer dispositivos de energia personalizados para várias aplicações, como conversão de energia, controle de motor e sistemas de energia renovável.
Em 2015, a Dynex foi adquirida pela Infineon Technologies, uma provedora líder de sistemas de energia e sensores.
A marca Dynex não está mais em uso, mas sua tecnologia e produtos continuam fazendo parte do portfólio da Infineon.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.

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