GP250MHB06S Folha de dados(PDF)

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GP250MHB06S Folha de dados (PDF) - Dynex Semiconductor

GP250MHB06S Datasheet PDF - Dynex Semiconductor


Nome de Peças	GP250MHB06S

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Fabricante Electrônico	DYNEX [Dynex Semiconductor]

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Descrição Electrónicos

Half Bridge IGBT Module

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Fabricante Electrônico	DYNEX [Dynex Semiconductor]

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Descrição Electrónicos	Half Bridge IGBT Module

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GP250MHB06S Detalhes do produto

The Powerline range of modules includes half bridge, chopper, dual and single switch configurations covering voltages from 600V to 3300V and currents up to 2400A.
The GP250MHB06S is a half bridge 600V n channel enhancement mode insulated gate bipolar transistor (IGBT) module. The module is suitable for a variety of medium voltage applications in motor drives and power conversion.

FEATURES
■ n - Channel
■ High Switching Speed
■ Low Forward Voltage Drop
■ Isolated Base

APPLICATIONS
■ PWM Motor Control
■ UPS

Nº de peça semelhante - GP250MHB06S

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
List of Unclassifed Man...	GP250	517Kb / 9P	RELAY - LATCH 2 PDT, 2 AMP
The Bergquist Company	GP2500	76Kb / 1P	Thermally Conductive, Un-Reinforced Gap Filling Material 12.08
The Bergquist Company	GP2500-0.040-02-0404	76Kb / 1P	Thermally Conductive, Un-Reinforced Gap Filling Material 12.08
Henkel Korea Limited.	GP2500S20-0.010-02-00	77Kb / 1P	Highly Conformable,Thermally Conductive, Reinforced “S-Class” Gap Filling Material
Henkel Korea Limited.	GP2500S20-0.010-02-0816	77Kb / 1P	Highly Conformable,Thermally Conductive, Reinforced “S-Class” Gap Filling Material

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Descrição semelhante - GP250MHB06S

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Dynex Semiconductor	GP200MHS12	99Kb / 10P	Half Bridge IGBT Module
	GP200MHS18	135Kb / 10P	Half Bridge IGBT Module
	DIM200PHM33-F000	143Kb / 9P	Half Bridge IGBT Module
	DIM200WHS12-E000	177Kb / 8P	Half Bridge IGBT Module
SemiWell Semiconductor	SIM200D12SV3	496Kb / 7P	HALF-BRIDGE IGBT MODULE
Dynex Semiconductor	DIM100PHM33-F000	356Kb / 8P	Half Bridge IGBT Module
	DIM200PHM33-F000	356Kb / 8P	Half Bridge IGBT Module
	DIM100PHM33-F000	356Kb / 8P	Half Bridge IGBT Module
	DIM250PHM33-TS000	396Kb / 8P	Half Bridge IGBT Module
	DIM400PHM17-A000	460Kb / 8P	IGBT Half Bridge Module

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Sobre a Dynex Semiconductor

A Dynex Semiconductor era uma empresa britânica especializada no design e fabricação de semicondutores de alta potência.
A empresa foi fundada em 1967 e estava sediada em Lincoln, Inglaterra.
A Dynex era conhecida por sua experiência em tecnologia de semicondutores de alta potência e sua capacidade de fornecer dispositivos de energia personalizados para várias aplicações, como conversão de energia, controle de motor e sistemas de energia renovável.
Em 2015, a Dynex foi adquirida pela Infineon Technologies, uma provedora líder de sistemas de energia e sensores.
A marca Dynex não está mais em uso, mas sua tecnologia e produtos continuam fazendo parte do portfólio da Infineon.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.

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