BSS123 Folha de dados(PDF) - Diodes Incorporated

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BSS123 Folha de dados (PDF) - Diodes Incorporated

BSS123 Datasheet PDF - Diodes Incorporated


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Fabricante Electrônico	DIODES [Diodes Incorporated]

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Descrição Electrónicos

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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Fabricante Electrônico	DIODES [Diodes Incorporated]

Página de início	http://www.diodes.com

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Descrição Electrónicos	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

BSS123 Folha de dados (HTML) - Diodes Incorporated

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BSS123 Datasheet HTML 2Page - Diodes Incorporated

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BSS123 Detalhes do produto

Description and Applications
These N-Channel enhancement mode field effect transistors are produced using DIODES proprietary, high density, uses advanced trench technology. These products have been designed to minimize on-state resistance while provide rugged, reliable, and fast switching performance. These products are particularly suited for low voltage, low current applications such as:

• Small Servo Motor Control
• Power MOSFET Gate Drivers
• Switching Applications

Features and Benefits
• Low Gate Threshold Voltage
• Low Input Capacitance
• Fast Switching Speed
• Low Input/Output Leakage
• High Drain-Source Voltage Rating
• Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
• PPAP Capable (Note 4)

Nº de peça semelhante - BSS123

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
NXP Semiconductors	BSS123	56Kb / 4P	N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor August 2000 Rev 1.000
Zetex Semiconductors	BSS123	45Kb / 1P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
Siemens Semiconductor G...	BSS123	133Kb / 8P	SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level)
Fairchild Semiconductor	BSS123	284Kb / 10P	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Infineon Technologies A...	BSS123	77Kb / 8P	SIPMOS Small-Signal-Transistor 2002-12-10

Descrição semelhante - BSS123

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
NXP Semiconductors	PHD83N03LT	282Kb / 13P	N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 01-16 July 2001
	PHP112N06T	262Kb / 14P	N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 01-07 March 2001
	PHP47NQ10T	267Kb / 14P	N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 01-16 May 2001
	PHP78NQ03LT	292Kb / 14P	N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 01-14 November 2001
	SI4410DY	266Kb / 13P	N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 02-05 July 2001
	SI4416DY	253Kb / 13P	N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 01-05 June 2001
	SI4420DY	254Kb / 12P	N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 01-28 May 2001
	SI9956DY	253Kb / 13P	N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 01-16 July 2001
Fairchild Semiconductor	FDC633N	278Kb / 4P	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Fairchild Semiconductor	FDT459N	89Kb / 4P	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Sobre a Diodes Incorporated

Os Diodes Incorporated é uma empresa de capital aberto que projeta, fabrica e fornece uma ampla gama de semicondutores discretos, analógicos e de sinal misto e soluções de energia completas.
A empresa foi fundada em 1964 e está sediada em Plano, Texas.
Opera globalmente com centros de vendas, suporte e design na América do Norte, Europa e Ásia.
Os diodos Incorporated serve a uma variedade de indústrias, incluindo automotivo, comunicações, computação, consumidor e industrial.
A empresa oferece uma ampla gama de produtos, incluindo diodos, retificadores, transistores, reguladores de tensão, MOSFETs, motoristas de LED e dispositivos de proteção, entre outros.
A missão da empresa é fornecer aos clientes produtos de alta qualidade e de alta confiabilidade e excelente atendimento ao cliente.
Com foco na inovação e satisfação do cliente, os Diodes Incorporated estão comprometidos em se tornar um fornecedor líder de soluções de gerenciamento de energia.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.

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