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K1875 Folha de dados (PDF) - Unisonic Technologies
K1875 Datasheet PDF - Unisonic Technologies
Nome de Peças K1875
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Tamanho do Arquivo   85.59 Kbytes
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Fabricante Electrônico  UTC [Unisonic Technologies]
Página de início  http://www.utc-ic.com
Logo UTC - Unisonic Technologies
Descrição Electrónicos FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON N CHANNEL JUNCTION TYPE

K1875 Datasheet (PDF)

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Fabricante Electrônico  UTC [Unisonic Technologies]
Página de início  http://www.utc-ic.com
Logo UTC - Unisonic Technologies
Descrição Electrónicos FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON N CHANNEL JUNCTION TYPE

K1875 Folha de dados (HTML) - Unisonic Technologies


K1875 Detalhes do produto

DESCRIPTION
The UTC K1875 is an N-channel JFET, it uses UTC’s advanced technology to provide customers low input capacitance and high forward transfer admittance.
The UTC K1875 is suitable for high frequency amplifier and audio frequency amplifier applications, etc.

FEATURES
* High forward transfer admittance
* Low input capacitance




Nº de peça semelhante - K1875

Fabricante ElectrônicoNome de PeçasFolha de dadosDescrição Electrónicos
logo
Unisonic Technologies		 K1875G-XX-AE3-R UTC-K1875G-XX-AE3-R Datasheet
83Kb / 3P		 FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON N CHANNEL JUNCTION TYPE
K1875G-XX-AQ3-R UTC-K1875G-XX-AQ3-R Datasheet
83Kb / 3P		 FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON N CHANNEL JUNCTION TYPE
K1875 UTC-K1875_15 Datasheet
83Kb / 3P		 FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON N CHANNEL JUNCTION TYPE
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Descrição semelhante - K1875

Fabricante ElectrônicoNome de PeçasFolha de dadosDescrição Electrónicos
logo
InterFET Corporation		 2N3821 INTERFET-2N3821 Datasheet
94Kb / 1P		 N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor
J232 INTERFET-J232 Datasheet
92Kb / 1P		 N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor
J110 INTERFET-J110 Datasheet
92Kb / 1P		 N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor
IF4501 INTERFET-IF4501 Datasheet
91Kb / 1P		 N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor
logo
Toshiba Semiconductor		 2SK3320-GR TOSHIBA-2SK3320-GR Datasheet
312Kb / 5P		 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type
2SK184-GRTPE4 TOSHIBA-2SK184-GRTPE4 Datasheet
295Kb / 4P		 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type
2SK210-Y TOSHIBA-2SK210-Y Datasheet
329Kb / 6P		 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type
logo
Unisonic Technologies		 K4059 UTC-K4059 Datasheet
136Kb / 3P		 FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON N CHANNEL JUNCTION TYPE
K1875 UTC-K1875_15 Datasheet
83Kb / 3P		 FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON N CHANNEL JUNCTION TYPE
K4059 UTC-K4059_15 Datasheet
145Kb / 3P		 FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON N CHANNEL JUNCTION TYPE
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Sobre a Unisonic Technologies

A Unisonic Technologies é uma empresa de semicondutores de Taiwan, especializada em design, fabricação e vendas de gerenciamento de energia e circuitos integrados analógicos (ICS). A empresa foi fundada em 1980 e tem uma presença global, com escritórios e instalações na Ásia, Europa e Américas.

A Unisonic Technologies fornece uma ampla gama de produtos e soluções, incluindo ICs de gerenciamento de energia, reguladores de tensão linear e ICs de controle motor. Os produtos da empresa são usados ​​em uma variedade de aplicações, incluindo eletrônicos de consumo, automotivo, industrial e telecomunicações. A Unisonic Technologies é conhecida por sua experiência em tecnologia de gerenciamento de energia e sua capacidade de fornecer soluções de alto desempenho e custo-benefício para seus clientes.

Nos últimos anos, a Unisonic Technologies expandiu seu portfólio de produtos e ofertas para incluir soluções para os mercados da Internet das Coisas (IoT) e de energia inteligente. A empresa está comprometida com a inovação, pesquisa e desenvolvimento e está ativamente envolvida no desenvolvimento de novas tecnologias e soluções para a indústria de semicondutores. A Unisonic Technologies é um líder reconhecido no mercado de gerenciamento de energia e ICS e continua a fornecer produtos e serviços de alta qualidade aos seus clientes.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.




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