IXKH-35N60C5 Folha de dados(PDF) - IXYS Corporation

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IXKH-35N60C5 Folha de dados (PDF) - IXYS Corporation

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Nome de Peças	IXKH-35N60C5

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Fabricante Electrônico	IXYS [IXYS Corporation]

Página de início	http://www.ixys.com

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Descrição Electrónicos

N-Channel Enhancement Mode Low RDSon, High VDSS MOSFET Ultra low gate charge

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Fabricante Electrônico	IXYS [IXYS Corporation]

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Descrição Electrónicos	N-Channel Enhancement Mode Low RDSon, High VDSS MOSFET Ultra low gate charge

IXKH-35N60C5 Folha de dados (HTML) - IXYS Corporation

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IXKH-35N60C5 Detalhes do produto

N-Channel Enhancement Mode Low RDSon, High VDSS MOSFET Ultra low gate charge

Features

• fast COOLMOS®* power MOSFET 4th generation

- High blocking capability

- Lowest resistance

- Avalanche rated for unclamped inductive switching (UIS)

- Low thermal resistance due to reduced chip thickness

• Enhanced total power density

Applications

• Switched mode power supplies(SMPS)

• Uninterruptible power supplies (UPS)

• Power factor correction (PFC)

• Welding

• Inductive heating

• PDP and LCD adapter

Nº de peça semelhante - IXKH-35N60C5

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
IXYS Corporation	IXKH20N60C5	118Kb / 4P	CoolMOS??1) Power MOSFET
Inchange Semiconductor ...	IXKH20N60C5	382Kb / 2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
IXYS Corporation	IXKH24N60C5	119Kb / 4P	N-Channel Enhancement Mode
Inchange Semiconductor ...	IXKH24N60C5	383Kb / 2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
IXYS Corporation	IXKH30N60C5	112Kb / 4P	CoolMOS Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Low Rdson, High Vdss MOSFET

Descrição semelhante - IXKH-35N60C5

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
IXYS Corporation	IXKH30N60C5	112Kb / 4P	CoolMOS Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Low Rdson, High Vdss MOSFET
IXYS Corporation	IXKC25N80C	119Kb / 4P	N-Channel Enhancement Mode Low RDSon, high VDSS MOSFET Electrically Isolated Back Surface
Infineon Technologies A...	SPD06N60C3	401Kb / 11P	Ultra low gate charge
STMicroelectronics	STF9N80K5	762Kb / 16P	Ultra-low gate charge 11-Nov-2015
	STD5N95K5	1Mb / 26P	Ultra-low gate charge 04-Jan-2017
	STD6N90K5	825Kb / 16P	Ultra-low gate charge November 2016 Rev 1
	STD7N90K5	817Kb / 16P	Ultra-low gate charge October 2016 Rev 1
	STF15N95K5	1Mb / 18P	Ultra low gate charge 07-Feb-2014
IXYS Corporation	IXKC19N60C5	120Kb / 4P	Electrically isolated back surface 2500 V electrical isolation N-Channel Enhancement Mode Low RDSon, high VDSS MOSFET Ultra low gate charge
IXYS Corporation	IXKR47N60C5	137Kb / 4P	Electrically isolated back surface 2500 V electrical isolation N-Channel Enhancement Mode Low RDSon, high VDSS MOSFET Ultra low gate charge

Sobre a IXYS Corporation

A IXYS Corporation é uma empresa de tecnologia especializada no design, fabricação e venda de semicondutores de energia e circuitos integrados (ICS). A empresa foi fundada em 1983 e está sediada em Milpitas, Califórnia. A IXYS tem uma presença global, com operações e clientes em mais de 60 países em todo o mundo.

O IXYS fornece uma ampla gama de produtos e soluções, incluindo moscas de potência, transistores bipolares de energia, tiristores, diodos e ICs para gestão de energia e aplicações de controle. Os produtos da empresa são usados em uma variedade de aplicações, incluindo energia renovável, industrial, automotiva e eletrônica de consumo.

A IXYS é conhecida por sua experiência em tecnologia de semicondutores de energia e sua capacidade de fornecer soluções de alto desempenho e custo-benefício para seus clientes. A empresa está comprometida com a inovação e pesquisa e desenvolvimento e está ativamente envolvida no desenvolvimento de novas tecnologias e soluções para o mercado de semicondutores de energia. A IXYS é um líder reconhecido no mercado de semicondutores de energia e continua a fornecer produtos e serviços de alta qualidade aos seus clientes.

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