IRF7663PBF Folha de dados(PDF) - International Rectifier

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IRF7663PBF Folha de dados (PDF) - International Rectifier

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Fabricante Electrônico	IRF [International Rectifier]

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Trench Technology, Ultra Low On-Resistance, P-Channel MOSFET

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Descrição Electrónicos	Trench Technology, Ultra Low On-Resistance, P-Channel MOSFET

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IRF7663PBF Detalhes do produto

Description
New trench HEXFET® power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
The new Micro8® package has half the footprint area of the standard SO-8. This makes the Micro8 an ideal package for applications where printed circuit board space is at a premium. The low profile (<1.1mm) of the Micro8 will allow it to fit easily into extremely thin application environments such as portable electronics and PCMCIA cards.

● Trench Technology
● Ultra Low On-Resistance
● P-Channel MOSFET
● Very Small SOIC Package
● Low Profile (<1.1mm)
● Available in Tape & Reel
● Lead-Free

Nº de peça semelhante - IRF7663PBF

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
International Rectifier	IRF7663	77Kb / 7P	Power MOSFET(Vdss=-20V, Rds(on)=0.020ohm)
International Rectifier	IRF7663TR	82Kb / 7P	Trench Technology

Descrição semelhante - IRF7663PBF

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
International Rectifier	IRF7750GPBF	231Kb / 8P	HEXFET짰 Power MOSFET Ultra Low On-Resistance Dual P-Channel MOSFET
	IRF5800	114Kb / 8P	Ultra Low On-Resistance, P-Channel MOSFET
	IRLML2803GPBF	230Kb / 8P	Generation V Technology, Ultra Low On-Resistance, N-Channel MOSFET
	IRLML6302PBF	285Kb / 8P	technology, Ultra Low On-Resistance, P-Channel MOSFET
	IRLML6401PBF	196Kb / 8P	Ultra Low On-Resistance, P-Channel MOSFET, SOT-23 Footprint
	IRF7328PBF	175Kb / 8P	Trench Technology Ultra Low On-Resistance
Kersemi Electronic Co.,...	IRF3710Z	4Mb / 12P	Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance
Leshan Radio Company	LDP4098T1G	335Kb / 5P	Dual P-Channel MOSFET Low RDS(on) trench technology.
	LDP4953T1G	331Kb / 5P	Dual P-Channel MOSFET Low RDS(on) trench technology.
	LP4935T1G	385Kb / 5P	P-Channel MOSFET Low RDS(on) trench technology.

Sobre a International Rectifier

O International Retificer (IR) era uma empresa americana especializada no design e fabricação de semicondutores de gerenciamento e controle de energia.
A empresa foi fundada em 1947 e estava sediada em El Segundo, Califórnia.
O IR forneceu uma ampla gama de produtos, incluindo ICs de gerenciamento de energia, MOSFETs de energia, IGBTS e outros produtos de controle de energia.
Os produtos da empresa foram usados em várias aplicações, como computação, telecomunicações e automação industrial.
A IR era conhecida por sua experiência em gerenciamento de energia e tecnologia de controle e sua capacidade de fornecer produtos de alta qualidade e confiáveis aos seus clientes.
Em 2014, a RI foi adquirida pela Infineon Technologies, uma provedora líder de produtos de gerenciamento e controle de energia e outras soluções de semicondutores.
A marca de retificador internacional não está mais em uso, mas sua tecnologia e produtos continuam fazendo parte do portfólio da Infineon.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.

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