2SC4226 Folha de dados(PDF) - Renesas Technology Corp

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Fabricante Electrônico	RENESAS [Renesas Technology Corp]

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NPN Silicon RF Transistor NPN Epitaxial Silicon RF Transistor for High-Frequency Low-Noise Amplification 3-pin super Minimold

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2SC4226 Detalhes do produto

NPN Epitaxial Silicon RF Transistor for High-Frequency Low-Noise Amplification 3-pin super Minimold

DESCRIPTION
The NE85630 / 2SC4226 is a low supply voltage transistor designed for VHF, UHF low noise amplifier. It is suitable for a high density surface mount assembly since the transistor has been applied 3-pin super minimold package.

FEATURES
• Low noise : NF = 1.2 dB TYP. @ VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 1 GHz
• High gain : ⏐S21e⏐2 = 9 dB TYP. @ VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 1 GHz
• 3-pin super minimold package

Nº de peça semelhante - 2SC4226

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
NEC	2SC4226	56Kb / 8P	HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR SUPER MINI MOLD
Guangdong Kexin Industr...	2SC4226	60Kb / 1P	NPN Silicon Epitaxial Transistor
SeCoS Halbleitertechnol...	2SC4226	287Kb / 3P	NPN Silicon Plastic Encapsulated Transistor
SeCoS Halbleitertechnol...	2SC4226	258Kb / 3P	NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
Galaxy Semi-Conductor H...	2SC4226	198Kb / 4P	NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

Descrição semelhante - 2SC4226

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Renesas Technology Corp	2SC3357	218Kb / 10P	NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION 3-PIN POWER MINIMOLD
California Eastern Labs	NE68718	306Kb / 5P	NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION 4-PIN SUPER MINIMOLD
California Eastern Labs	NE68539	727Kb / 5P	NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION 4-PIN SUPER MINIMOLD
Renesas Technology Corp	2SC4093	175Kb / 9P	NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION 4-PIN MINIMOLD
	2SC4227	202Kb / 9P	NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD
	2SC4228	202Kb / 9P	NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION 3-PIN SUPER MINIMOLD
	2SC4536	181Kb / 9P	NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION 3-PIN POWER MINIMOLD
	2SC4957	189Kb / 9P	NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION 4-PIN MINIMOLD
	2SC5011	190Kb / 9P	NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION 4-PIN SUPER MINIMOLD
	2SC5012	190Kb / 9P	NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION 4-PIN SUPER MINIMOLD

Sobre a Renesas Technology Corp

A Renesas Technology Corp é uma empresa de semicondutores japoneses que fornece uma ampla gama de microcontroladores, sistemas em chips e dispositivos analógicos e de energia para várias aplicações nos mercados automotivo, industrial e de consumidores.
A empresa foi formada em 2010 através da fusão da NEC Electronics Corporation e da Renesas Technology Corporation.
O Renesas é um dos maiores fornecedores de microcontroladores do mundo e é conhecido por sua experiência no desenvolvimento de tecnologias avançadas em áreas como a Internet das Coisas (IoT), Inteligência Artificial (AI) e eletrônica automotiva.
A empresa possui operações em mais de 20 países e seus produtos são usados em uma ampla gama de aplicações.

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