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STF57N65M5 Folha de dados (PDF) - STMicroelectronics
STF57N65M5 Datasheet PDF - STMicroelectronics
Nome de Peças STF57N65M5
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Fabricante Electrônico  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Página de início  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Descrição Electrónicos N-channel 650 V, 0.056 Ω typ., 42 A MDmesh™V Power MOSFET in I²PAK, TO-220, TO-220FP and D²PAK packages

STF57N65M5 Datasheet (PDF)

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Fabricante Electrônico  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Página de início  http://www.st.com
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Descrição Electrónicos N-channel 650 V, 0.056 Ω typ., 42 A MDmesh™V Power MOSFET in I²PAK, TO-220, TO-220FP and D²PAK packages

STF57N65M5 Folha de dados (HTML) - STMicroelectronics


STF57N65M5 Detalhes do produto

Description
These devices are N-channel MDmesh™ V Power MOSFETs based on an innovative proprietary vertical process technology, which is combined with STMicroelectronics’ well-known PowerMESH™ horizontal layout structure. The resulting product has extremely low on resistance, which is unmatched among silicon based Power MOSFETs, making it especially suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency.

Features

■ Worldwide best RDS(on)*area amongst the silicon based devices
■ Higher VDSS rating, high dv/dt capability
■ Excellent switching performance
■ Easy to drive, 100% avalanche tested

Applications
■ Switching applications




Nº de peça semelhante - STF57N65M5

Fabricante ElectrônicoNome de PeçasFolha de dadosDescrição Electrónicos
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STMicroelectronics		 STF57N65M5 STMICROELECTRONICS-STF57N65M5 Datasheet
1Mb / 22P		 N-channel 650 V, 0.056 typ., 42 A MDmesh V Power MOSFET
04-Dec-2012
logo
Inchange Semiconductor ...		 STF57N65M5 ISC-STF57N65M5 Datasheet
291Kb / 2P		 Isc N-Channel MOSFET Transistor
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STMicroelectronics		 STW57N65M5 STMICROELECTRONICS-STW57N65M5 Datasheet
1Mb / 22P		 N-channel 650 V, 0.056 Ω typ., 42 A MDmesh™V Power MOSFET in I²PAK, TO-220, TO-220FP and D²PAK packages
04-Dec-2012
STP15N65M5 STMICROELECTRONICS-STP15N65M5 Datasheet
925Kb / 17P		 N-channel 650 V, 0.308 廓 typ., 11 A MDmesh??V Power MOSFET in TO-220FP, I2PAKFP and TO-220 packages
09-Nov-2012
STP18N65M5 STMICROELECTRONICS-STP18N65M5 Datasheet
954Kb / 19P		 N-channel 650 V, 0.198 typ., 15 A MDmesh V Power MOSFET in TO-220FP, IPAK, TO-220 and TO-247 packages
19-Jul-2012
STW45N65M5 STMICROELECTRONICS-STW45N65M5 Datasheet
1Mb / 20P		 N-channel 650 V, 0.067 typ., 35 A MDmesh V Power MOSFET in D2PAK, TO-220FP and TO-220 packages
05-Mar-2013
STB57N65M5 STMICROELECTRONICS-STB57N65M5 Datasheet
1Mb / 22P		 N-channel 650 V, 0.056 typ., 42 A MDmesh V Power MOSFET
04-Dec-2012
STW57N65M5 STMICROELECTRONICS-STW57N65M5_V01 Datasheet
1,021Kb / 17P		 N-channel 650 V, 0.056 Ω typ., 42 A MDmesh™ V Power MOSFETs in TO-247 and TO-247 long leads packages
13-Dec-2013
STB11NM80 STMICROELECTRONICS-STB11NM80_V01 Datasheet
908Kb / 22P		 N-channel 800 V, 0.35 Ω, 11 A MDmesh™ Power MOSFET in D²PAK, TO-220FP, I²PAK, TO-220, TO-247
12-Sep-2011
STB13N80K5 STMICROELECTRONICS-STB13N80K5_V01 Datasheet
1Mb / 23P		 N-channel 800 V, 0.37 Ω typ., 12 A MDmesh™ K5 Power MOSFETs in D²PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247
25-Sep-2017
STD3NK60ZT4 STMICROELECTRONICS-STD3NK60ZT4 Datasheet
936Kb / 34P		 N-channel 600 V, 3.2 Ω typ., 2.4 A SuperMESH™ Power MOSFETs in D²PAK, IPAK, DPAK, TO-220 and TO-220FP packages
20-Aug-2018
STB55NF06 STMICROELECTRONICS-STB55NF06_V01 Datasheet
797Kb / 19P		 N-channel 60 V, 0.015 Ω, 50 A STripFET™ II Power MOSFET in D²PAK, TO-220 and TO-220FP packages
25-May-2012
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Sobre a STMicroelectronics

A STMicroelectronics é um fabricante multinacional de eletrônicos e semicondutores com sede em Genebra, Suíça.

A empresa oferece uma ampla gama de produtos, incluindo microcontroladores, sensores, amplificadores de energia e circuitos integrados para várias aplicações nos mercados automotivo, industrial e de consumo.

Fundada em 1987, a STMicroelectronics possui operações em mais de 100 países e é uma das maiores empresas de semicondutores do mundo.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.




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