BUZ31 Folha de dados(PDF) - Comset Semiconductor

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BUZ31 Folha de dados (PDF) - Comset Semiconductor

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BUZ31 Detalhes do produto

FEATURE
• Nchannel
• Enhancement mode
• Avalanche-rated
• TO-220 envelope
• Compliance to RoHS.

Nº de peça semelhante - BUZ31

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Siemens Semiconductor G...	BUZ31	197Kb / 9P	SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)
Infineon Technologies A...	BUZ31	88Kb / 8P	SIPMOS Power Transistor 05.99
New Jersey Semi-Conduct...	BUZ31	104Kb / 4P	Enhancement mode
Inchange Semiconductor ...	BUZ31	66Kb / 2P	High current capability
Siemens Semiconductor G...	BUZ310	240Kb / 9P	SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode)

Descrição semelhante - BUZ31

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
List of Unclassifed Man...	RFM25N05	235Kb / 4P	POWER MOS FIELD EFFECT TRANSISTORS
	2SJ133	89Kb / 2P	MOS Field Effect Power Transistors
	2SJ137	100Kb / 2P	MOS Field Effect Power Transistors
	2SJ141	99Kb / 2P	MOS Field Effect Power Transistors
	2SK1498	93Kb / 2P	MOS Field Effect Power Transistors
Guangdong Kexin Industr...	2SJ325	53Kb / 2P	MOS Field Effect Power Transistors
New Jersey Semi-Conduct...	2N6898	284Kb / 2P	POWER MOS FIELD-EFFECT TRANSISTORS
New Jersey Semi-Conduct...	RFK35N10	82Kb / 2P	Power MOS Field-Effect Transistors
Renesas Technology Corp	2SK2136	564Kb / 10P	MOS FIELD EFFECT POWER TRANSISTORS 1993
Renesas Technology Corp	UPA1702	226Kb / 10P	MOS FIELD EFFECT POWER TRANSISTORS 1996

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