IDH10G65C5 Folha de dados(PDF) - Infineon Technologies AG

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IDH10G65C5 Folha de dados (PDF) - Infineon Technologies AG

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Fabricante Electrônico	INFINEON [Infineon Technologies AG]

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Descrição Electrónicos

650V SiC thinQ!??Generation 5 diodes

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IDH10G65C5 Folha de dados (HTML) - Infineon Technologies AG

IDH10G65C5 Datasheet HTML 1Page - Infineon Technologies AG

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IDH10G65C5 Detalhes do produto

Features
■ V₂ at 650V
Improved Figure of Merit (Q x V)
■ No reverse recovery charge
■ Soft switching reverse
recovery waveform
■ Temperature independent
switching behavior
High operating temperature
(₁175°C)
■ Improved surge capability
■ Pb-free lead plating
☐10 years manufacturing of SIC diodes

Benefits
■ Higher safety margin against
Overvoltage; best match with
CoolMOS™ 650V products
Improved efficiency over all
load conditions
■ Increased efficiency compared to
Silicon Diode alternatives
■ Reduced EMI compared to snappier
Silicon diode reverse recovery
waveform
Highly stable switching performance
Reduced cooling requirements
■ Reduced risks of thermal runaway
■ RoHS compliant
High quality know-how and capacity
in SiC diode manufacture

Nº de peça semelhante - IDH10G65C5

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Infineon Technologies A...	IDH10G65C5	1Mb / 11P	ThinQ!??Generation 5 represents Infineon leading edge technology for the SiC Schottky Barrier diodes. Rev. 2.2, 2012-12-10

Descrição semelhante - IDH10G65C5

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Infineon Technologies A...	IDC06S60C	61Kb / 4P	2nd generation thinQ SiC Schottky Diode 05.04.2006
	IDC08S60C	59Kb / 4P	2nd generation thinQ SiC Schottky Diode 27.04.2006
	IDB10S60C	575Kb / 7P	2nd Generation thinQ SiC Schottky Diode Rev. 2.1 2009-01-07
	IDH06S60C	440Kb / 7P	2nd Generation thinQ SiC Schottky Diode Rev. 2.0 2009-06-02
	IDT05S60C	426Kb / 7P	2nd Generation thinQ SiC Schottky Diode Rev. 2.1 2008-06-06
	IDT10S60C	428Kb / 7P	2nd Generation thinQ SiC Schottky Diode Rev. 2.1 2008-06-09
	IDV03S60C	1Mb / 10P	2nd Generation thinQ SiC Schottky Diode Rev. 2.1, 2010-02-16
	IDV04S60C	1Mb / 10P	2nd Generation thinQ! SiC Schottky Diode Rev. 2.0, 2010-01-08
	IDW10G65C5	1Mb / 11P	5t h Generation thinQ!TM 650V SiC Schottky Diode Rev. 2.2, 2013-01-15
	IDH16G65C5	1Mb / 11P	5t h Generation thinQ!TM 650V SiC Schottky Diode Rev. 2.2, 2012-12-10

Sobre a Infineon Technologies AG

A Infineon Technologies é um fabricante global de semicondutores globais, especializado em fornecer soluções de gerenciamento de energia, segurança e controle para vários setores, como sistemas automotivos, industriais e de comunicação.
A empresa foi fundada em 1999 e está sediada em Neubiberg, Alemanha.
A Infineon oferece uma ampla gama de produtos, incluindo microcontroladores, semicondutores de potência, sensores e outros circuitos integrados.
A empresa tem uma forte presença no mercado global, com operações e instalações em vários países do mundo.

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