NX8349TS Folha de dados(PDF) - Renesas Technology Corp

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Fabricante Electrônico	RENESAS [Renesas Technology Corp]

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Descrição Electrónicos

LASER DIODE 1 310 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE FOR 10 Gb/s APPLICATION

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Fabricante Electrônico	RENESAS [Renesas Technology Corp]

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Descrição Electrónicos	LASER DIODE 1 310 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE FOR 10 Gb/s APPLICATION

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NX8349TS Detalhes do produto

DESCRIPTION
The NX8349TS, NX8349YK, NX8349XK are 1 310 nm Multiple Quantum Wells (MQW) structured Distributed Feed-Back (DFB) laser diode TOSA (transmitter optical subassembly) with InGaAs monitor PIN-PD in a receptacle type package designed for SFP+/XFP transceiver.

FEATURES
• Internal optical isolator
• Optical output power Pf = −3 dBm
• Low threshold current Ith = 8 mA TYP. @ TC = 25°C
• Wide operating temperature range TC = −5 to +95°C
• InGaAs monitor PIN-PD

APPLICATIONS
• 10 G BASE-LW/LR
• 10 G Fibre Channel

Nº de peça semelhante - NX8349TS

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
California Eastern Labs	NX8349TS	333Kb / 10P	LASER DIODE 1 271 to 1 331 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE FOR 40 G BASE-LR4 APPLICATION
Renesas Technology Corp	NX8349TS	246Kb / 9P	LASER DIODE 1 310 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE FOR 10 Gb/s APPLICATION
California Eastern Labs	NX8349TS	705Kb / 9P	LASER DIODE 1 310 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE FOR 10 Gb/s APPLICATION

Descrição semelhante - NX8349TS

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Renesas Technology Corp	NX8346TS	172Kb / 9P	LASER DIODE 1 310 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE FOR 10 Gb/s APPLICATION
	NX8369TB	213Kb / 9P	LASER DIODE 1 310 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE FOR 10 Gb/s APPLICATION
	NX8349TB	211Kb / 9P	LASER DIODE 1 310 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE FOR 10 Gb/s APPLICATION
California Eastern Labs	NX8369TB	214Kb / 9P	LASER DIODE 1 310 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE FOR 10 Gb/s APPLICATION
Renesas Technology Corp	NX8349YK	253Kb / 9P	LASER DIODE 1 310 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE FOR 10 Gb/s APPLICATION
	NX8346TS	164Kb / 9P	LASER DIODE 1 310 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE FOR 10 Gb/s APPLICATION
	NX8349TB	204Kb / 9P	LASER DIODE 1 310 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE FOR 10 Gb/s APPLICATION
	NX8349TS	246Kb / 9P	LASER DIODE 1 310 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE FOR 10 Gb/s APPLICATION
	NX8369TS	204Kb / 9P	LASER DIODE 1 310 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE FOR 10 Gb/s APPLICATION
California Eastern Labs	NX8349TS	705Kb / 9P	LASER DIODE 1 310 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE FOR 10 Gb/s APPLICATION

Sobre a Renesas Technology Corp

A Renesas Technology Corp é uma empresa de semicondutores japoneses que fornece uma ampla gama de microcontroladores, sistemas em chips e dispositivos analógicos e de energia para várias aplicações nos mercados automotivo, industrial e de consumidores.
A empresa foi formada em 2010 através da fusão da NEC Electronics Corporation e da Renesas Technology Corporation.
O Renesas é um dos maiores fornecedores de microcontroladores do mundo e é conhecido por sua experiência no desenvolvimento de tecnologias avançadas em áreas como a Internet das Coisas (IoT), Inteligência Artificial (AI) e eletrônica automotiva.
A empresa possui operações em mais de 20 países e seus produtos são usados em uma ampla gama de aplicações.

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