NX7563JB-BC Folha de dados(PDF) - Renesas Technology Corp

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NX7563JB-BC Folha de dados (PDF) - Renesas Technology Corp

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Nome de Peças	NX7563JB-BC

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Fabricante Electrônico	RENESAS [Renesas Technology Corp]

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LASER DIODE InGaAsP MQW DC-PBH PULSED LASER DIODE MODULE 1 550 nm OTDR APPLICATION

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Fabricante Electrônico	RENESAS [Renesas Technology Corp]

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NX7563JB-BC Detalhes do produto

DESCRIPTION
The NX7563JB-BC is a 1 550 nm Multiple Quantum Well (MQW) structure pulsed laser diode DIP module with single mode fiber and internal thermoelectric cooler. It is designed for light sources of optical measurement equipment (OTDR).

FEATURES
• High output power Pf = 135 mW MIN. @ IFP = 1 000 mA, PW = 10 μs, Duty = 1%
• Long wavelength λC = 1 550 nm
• Internal thermoelectric cooler, thermistor
• Hermetically sealed 14-pin Dual-In-Line Package
• Single mode fiber pigtail

Nº de peça semelhante - NX7563JB-BC

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
California Eastern Labs	NX7563JB-BC	978Kb / 6P	InGaAsP MQW DC-PBH PULSED LASER DIODE MODULE 1 550 nm OTDR APPLICATION
California Eastern Labs	NX7563JB-BC-AZ	978Kb / 6P	InGaAsP MQW DC-PBH PULSED LASER DIODE MODULE 1 550 nm OTDR APPLICATION
Renesas Technology Corp	NX7563JB-BC	152Kb / 8P	LASER DIODE InGaAsP MQW DC-PBH PULSED LASER DIODE MODULE 1 550 nm OTDR APPLICATION

Descrição semelhante - NX7563JB-BC

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
NEC	NDL7515P	61Kb / 8P	InGaAsP MQW DC-PBH PULSED LASER DIODE MODULE 1 310 nm OTDR APPLICATION
NEC	NDL7565P	59Kb / 8P	InGaAsP MQW DC-PBH PULSED LASER DIODE MODULE 1 550 nm OTDR APPLICATION
California Eastern Labs	NX7363JB-BC	968Kb / 6P	InGaAsP MQW DC-PBH PULSED LASER DIODE MODULE 1 310 nm OTDR APPLICATION
	NX7563JB-BC	978Kb / 6P	InGaAsP MQW DC-PBH PULSED LASER DIODE MODULE 1 550 nm OTDR APPLICATION
	NX7663JB-BC	957Kb / 6P	InGaAsP MQW DC-PBH PULSED LASER DIODE MODULE 1 625 nm OTDR APPLICATION
Renesas Technology Corp	NX7363JB-BC	158Kb / 8P	LASER DIODE InGaAsP MQW DC-PBH PULSED LASER DIODE MODULE 1 310 nm OTDR APPLICATION
	NX7663JB-BC	159Kb / 8P	LASER DIODE InGaAsP MQW DC-PBH PULSED LASER DIODE MODULE 1 625 nm OTDR APPLICATION
	NX7363JB-BC	151Kb / 8P	LASER DIODE InGaAsP MQW DC-PBH PULSED LASER DIODE MODULE 1 310 nm OTDR APPLICATION
	NX7563JB-BC	152Kb / 8P	LASER DIODE InGaAsP MQW DC-PBH PULSED LASER DIODE MODULE 1 550 nm OTDR APPLICATION
	NX7663JB-BC	151Kb / 8P	LASER DIODE InGaAsP MQW DC-PBH PULSED LASER DIODE MODULE 1 625 nm OTDR APPLICATION

Sobre a Renesas Technology Corp

A Renesas Technology Corp é uma empresa de semicondutores japoneses que fornece uma ampla gama de microcontroladores, sistemas em chips e dispositivos analógicos e de energia para várias aplicações nos mercados automotivo, industrial e de consumidores.
A empresa foi formada em 2010 através da fusão da NEC Electronics Corporation e da Renesas Technology Corporation.
O Renesas é um dos maiores fornecedores de microcontroladores do mundo e é conhecido por sua experiência no desenvolvimento de tecnologias avançadas em áreas como a Internet das Coisas (IoT), Inteligência Artificial (AI) e eletrônica automotiva.
A empresa possui operações em mais de 20 países e seus produtos são usados em uma ampla gama de aplicações.

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