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RJK0230DPA Folha de dados (PDF) - Renesas Technology Corp
RJK0230DPA Datasheet PDF - Renesas Technology Corp
Nome de Peças RJK0230DPA
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Fabricante Electrônico  RENESAS [Renesas Technology Corp]
Página de início  http://www.renesas.com
Logo RENESAS - Renesas Technology Corp
Descrição Electrónicos Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode High Speed Power Switching

RJK0230DPA Datasheet (PDF)

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Fabricante Electrônico  RENESAS [Renesas Technology Corp]
Página de início  http://www.renesas.com
Logo RENESAS - Renesas Technology Corp
Descrição Electrónicos Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode High Speed Power Switching

RJK0230DPA Folha de dados (HTML) - Renesas Technology Corp


RJK0230DPA Detalhes do produto

Features
• Low on-resistance
• Capable of 4.5 V gate drive
• High density mounting
• Pb-free
• Halogen-free




Nº de peça semelhante - RJK0230DPA

Fabricante ElectrônicoNome de PeçasFolha de dadosDescrição Electrónicos
logo
Renesas Technology Corp		 RJK0234DNS RENESAS-RJK0234DNS Datasheet
288Kb / 7P		 25V, 35A, 5.8m廓max. N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching
RJK0236DPA RENESAS-RJK0236DPA Datasheet
161Kb / 7P		 Built in SBD N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching
RJK0236DPA-00-J5A RENESAS-RJK0236DPA-00-J5A Datasheet
161Kb / 7P		 Built in SBD N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching
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Descrição semelhante - RJK0230DPA

Fabricante ElectrônicoNome de PeçasFolha de dadosDescrição Electrónicos
logo
Renesas Technology Corp		 RJK0383DPA RENESAS-RJK0383DPA Datasheet
114Kb / 5P		 Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode High Speed Power Switching
RJK0389DPA RENESAS-RJK0389DPA Datasheet
113Kb / 5P		 Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode High Speed Power Switching
HAT2285WP RENESAS-HAT2285WP Datasheet
130Kb / 10P		 Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode High Speed Power Switching
HAT2210R RENESAS-HAT2210R Datasheet
116Kb / 12P		 Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode High Speed Power Switching
HAT2126RP RENESAS-HAT2126RP Datasheet
263Kb / 17P		 Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode High Speed Power Switching
RJK0389DPA RENESAS-RJK0389DPA_09 Datasheet
358Kb / 11P		 Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode High Speed Power Switching
HAT2285WP RENESAS-HAT2285WP_10 Datasheet
115Kb / 10P		 Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode High Speed Power Switching
RJK0214DPA RENESAS-RJK0214DPA Datasheet
260Kb / 11P		 Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode High Speed Power Switching
RJK0215DPA RENESAS-RJK0215DPA Datasheet
271Kb / 11P		 Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode High Speed Power Switching
RJK0223DNS RENESAS-RJK0223DNS Datasheet
81Kb / 5P		 Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode High Speed Power Switching
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Sobre a Renesas Technology Corp

A Renesas Technology Corp é uma empresa de semicondutores japoneses que fornece uma ampla gama de microcontroladores, sistemas em chips e dispositivos analógicos e de energia para várias aplicações nos mercados automotivo, industrial e de consumidores.
A empresa foi formada em 2010 através da fusão da NEC Electronics Corporation e da Renesas Technology Corporation.
O Renesas é um dos maiores fornecedores de microcontroladores do mundo e é conhecido por sua experiência no desenvolvimento de tecnologias avançadas em áreas como a Internet das Coisas (IoT), Inteligência Artificial (AI) e eletrônica automotiva.
A empresa possui operações em mais de 20 países e seus produtos são usados ​​em uma ampla gama de aplicações.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.




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