2SC3102 Folha de dados(PDF) - New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

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RF POWER TRANSISTOR NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE

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2SC3102 Detalhes do produto

DESCRIPTION
2SC3102 is a silicon NPN epitaxial planar type transistor specifically designed for high power amplifiers applications in UHF band.

APPLICATIONS
For output stage of 50W power amplifiers in UHF band.

Nº de peça semelhante - 2SC3102

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Mitsubishi Electric Sem...	2SC3102	159Kb / 3P	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR)

Descrição semelhante - 2SC3102

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Mitsubishi Electric Sem...	2SC2166	130Kb / 3P	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(RF POWER TRANSISTOR)?
	2SC2538	203Kb / 3P	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(RF POWER TRANSISTOR)?
	2SC2539	136Kb / 3P	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(RF POWER TRANSISTOR)?
	2SC2540	136Kb / 3P	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(RF POWER TRANSISTOR)?
	2SC2629	135Kb / 3P	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(RF POWER TRANSISTOR)?
	2SC3019	203Kb / 4P	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR)
	2SC3020	128Kb / 3P	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR)
	2SC3101	92Kb / 2P	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR)
	2SC3105	99Kb / 2P	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR)
	2SC3379	150Kb / 3P	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR)

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