BAR80 Folha de dados(PDF) - Siemens Semiconductor Group

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Silicon RF Switching Diode (Design for use in shunt configuration Hight shunt signal isolation Low shunt insertion loss)

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BAR80 Detalhes do produto

Silicon RF Switching Diode

• Design for use in shunt configuration
• Hight shunt signal isolation
• Low shunt insertion loss

Nº de peça semelhante - BAR80

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Infineon Technologies A...	BAR80	42Kb / 4P	Silicon RF Switching Diode Aug-17-2001

Descrição semelhante - BAR80

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Siemens Semiconductor G...	BAR81	46Kb / 3P	Preliminary data Silicon RF Switching Diode (Design for use in shunt configuration High shunt signal isolation Low shunt insertion loss)
Siemens Semiconductor G...	BAR81W	30Kb / 4P	Silicon RF Switching Diode Preliminary data (Design for use in shunt configuration High shunt signal isolation Low shunt insertion loss)
Bourns Electronic Solut...	PWR10020S	220Kb / 1P	Shunt Resistor
Renesas Technology Corp	HA17431H	96Kb / 7P	Shunt Regulator
Solid States Devices, I...	SVR1009	68Kb / 2P	PRECISION SHUNT REGULATOR DIODE
	SVR006	68Kb / 2P	PRECISION SHUNT REGULATOR DIODE
	SVR006	68Kb / 2P	PRECISION SHUNT REGULATOR DIODE
Zhejiang DongYa Electro...	SH-F	790Kb / 2P	Shunt
	SH-L	941Kb / 2P	Shunt
	SH-T	993Kb / 3P	Shunt

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