GA200SA60S Folha de dados(PDF) - Vishay Siliconix

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GA200SA60S Folha de dados (PDF) - Vishay Siliconix

GA200SA60S Datasheet PDF - Vishay Siliconix


Nome de Peças	GA200SA60S

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Tamanho do Arquivo	182.52 Kbytes

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Fabricante Electrônico	VISHAY [Vishay Siliconix]

Página de início	http://www.vishay.com

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Descrição Electrónicos

Insulated Gate Bipolar Transistor Ultralow VCE(on), 342 A

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Nome de Peças	GA200SA60S

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página	9 Pages

Fabricante Electrônico	VISHAY [Vishay Siliconix]

Página de início	http://www.vishay.com

Logo

Descrição Electrónicos	Insulated Gate Bipolar Transistor Ultralow VCE(on), 342 A

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GA200SA60S Detalhes do produto

Insulated Gate Bipolar Transistor Ultralow VCERevision: 22-Jul-10
(on), 342 A

FEATURES

• Standard: Optimized for minimum saturation voltage and low speed up to 5 kHz

• Lowest conduction losses available

• Fully isolated package (2500 VAC)

• Very low internal inductance (5 nH typical)

• Industry standard outline

• UL approved file E78996

• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC

• Designed and qualified for industrial level

BENEFITS

• Designed for increased operating efficiency in power conversion: UPS, SMPS, TIG welding, induction heating

• Easy to assemble and parallel

• Direct mounting to heatsink

• Plug-in compatible with other SOT-227 packages

Nº de peça semelhante - GA200SA60S

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
International Rectifier	GA200SA60S	201Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
	GA200SA60S	322Kb / 9P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
	GA200SA60SP	322Kb / 9P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
Vishay Siliconix	GA200SA60SP	181Kb / 9P	Insulated Gate Bipolar Transistor Ultralow VCE(on), 342 A 22-Jul-10
Vishay Siliconix	GA200SA60SP	181Kb / 9P	Insulated Gate Bipolar Transistor Ultralow VCE(on), 342 A 22-Jul-10

Descrição semelhante - GA200SA60S

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
International Rectifier	IRG4BC30K	137Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)
	IRG4BC30U	167Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.95V, @Vge=15V, Ic=12A)
	IRG4PC30F	145Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A)
	IRG4PC40W	116Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.05V, @Vge=15V, Ic=20A)
	IRGBF20F	255Kb / 6P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vce=900V, @Vge=15V, Ic=5.3A)
	IRG4BH20K-LPBF	298Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR ( VCES=1200V , VCE(on)typ.=3.17V , @VGE=15V.Ic=5.0A )
Vishay Siliconix	VS-GA250SA60S	288Kb / 9P	Insulated Gate Bipolar Transistor Ultralow VCE(on), 250 A 20-May-16
	GA200SA60SP	181Kb / 9P	Insulated Gate Bipolar Transistor Ultralow VCE(on), 342 A 22-Jul-10
	VS-GT250SA60S	196Kb / 9P	Insulated Gate Bipolar Transistor Ultralow VCE(on), 250 A 20-Jul-2021
	VS-GT250SA60S	196Kb / 9P	Insulated Gate Bipolar Transistor Ultralow VCE(on), 250 A 20-Jul-2021

Sobre a Vishay Siliconix

Vishay Siliconix é uma subsidiária da Vishay Intertechnology, fabricante global de componentes eletrônicos passivos.
Vishay Siliconix é especializado no design, fabricação e marketing de MOSFETS, IGBTS e outros semicondutores de energia.
A empresa foi fundada em 1962 e está sediada em Santa Clara, Califórnia.
O Vishay Siliconix fornece soluções de energia para uma variedade de aplicações, incluindo sistemas de energia renovável, equipamentos industriais, computação e telecomunicações e eletrônicos automotivos.
Os produtos da empresa são projetados para alta eficiência, baixo consumo de energia e alta confiabilidade e são fabricados em instalações de última geração usando processos avançados de fabricação.
Com foco na inovação e satisfação do cliente, a Vishay Siliconix está comprometida em fornecer a seus clientes as melhores soluções de gerenciamento de energia para atender às suas necessidades.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.

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