BCX55 Folha de dados(PDF) - SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

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BCX55 Detalhes do produto

Features
    Power dissipation
        PCM: 0.5 W (Tamb=25°C)
    Collector current
        ICM: 1 A
    Collector-base voltage
        V(BR)CBO: 60 V
    Operating and storage junction temperature range
        TJ, Tstg: -55°C to +150°C

Nº de peça semelhante - BCX55

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
NXP Semiconductors	BCX55	42Kb / 8P	NPN medium power transistors Rev. 07 - 4 June 2007
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Central Semiconductor C...	BCX55	103Kb / 2P	SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR
Infineon Technologies A...	BCX55	48Kb / 5P	NPN Silicon AF Transistors Jul-10-2001
Zetex Semiconductors	BCX55	17Kb / 1P	SOT89 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS

Descrição semelhante - BCX55

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
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SeCoS Halbleitertechnol...	BCX51	1Mb / 1P	Plastic-Encapsulate Transistors
SeCoS Halbleitertechnol...	D882	277Kb / 2P	Plastic Encapsulate Transistors
Micro Commercial Compon...	MMDT5401	231Kb / 3P	Plastic-Encapsulate Transistors
MAKO SEMICONDUCTOR CO.,...	2SC945	99Kb / 2P	Plastic-Encapsulate Transistors
MAKO SEMICONDUCTOR CO.,...	KTC3875	88Kb / 2P	Plastic-Encapsulate Transistors
Nanjing International G...	KTA1275	149Kb / 1P	Plastic-Encapsulate Transistors
Jiangsu Changjiang Elec...	2SD2142	271Kb / 1P	Plastic-Encapsulate Transistors
Jiangsu Changjiang Elec...	BC516	401Kb / 3P	Plastic-Encapsulate Transistors

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