IXGH31N60D1 Folha de dados(PDF) - IXYS Corporation

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IXGH31N60D1 Folha de dados (PDF) - IXYS Corporation

IXGH31N60D1 Datasheet PDF - IXYS Corporation


Nome de Peças	IXGH31N60D1

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Fabricante Electrônico	IXYS [IXYS Corporation]

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Descrição Electrónicos

Ultra-Low V IGBT with Diode

IXGH31N60D1 Datasheet (PDF)

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IXGH31N60D1 Folha de dados (HTML) - IXYS Corporation

IXGH31N60D1 Datasheet HTML 1Page - IXYS Corporation

IXGH31N60D1 Datasheet HTML 2Page - IXYS Corporation

IXGH31N60D1 Detalhes do produto

Features
• IGBT and anti-parallel FRED in one package
• Low VCE(sat) - for minimum on-state conduction losses
• MOS Gate turn-on - drive simplicity
• Fast RecoveryEpitaxial Diode (FRED) - soft recovery with low IRM

Applications
• AC motor speed control
• DC servo and robot drives
• DC choppers Uninterruptible power supplies (UPS)
• Switch-mode and resonant-mode power supplies

Advantages
• Space savings (two devices in one package)
• Easy to mount with 1 screw (isolated mounting screw hole)
• Reduces assembly time and cost
• High power density

Nº de peça semelhante - IXGH31N60D1

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
IXYS Corporation	IXGH31N60	55Kb / 2P	Ultra-Low VCE(sat) IGBT
IXYS Corporation	IXGH31N60U1	46Kb / 2P	Ultra-Low VCE(sat) IGBT with Diode

Descrição semelhante - IXGH31N60D1

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
IXYS Corporation	IXGH17N100U1	113Kb / 6P	Low VCE(sat) IGBT with Diode High speed IGBT with Diode
	IXGH15N120BD1	56Kb / 2P	Low VCE(sat) IGBT with Diode High Speed IGBT with Diode
	IXGH12N100	151Kb / 5P	Low VCE(sat) IGBT with Diode High Speed IGBT with Diode
	IXGH10N100U1	121Kb / 6P	Low VCE(sat) IGBT with Diode, High speed IGBT with Diode
	IXGH31N60U1	46Kb / 2P	Ultra-Low VCE(sat) IGBT with Diode
	IXGH38N60U1	46Kb / 2P	Ultra-Low VCE(sat) IGBT with Diode
	IXSH20N60U1	112Kb / 6P	Low VCE(sat) IGBT with Diode, High Speed IGBT with Diode
STMicroelectronics	STGW45HF60WDI	499Kb / 16P	45 A, 600 V ultra fast IGBT with low drop diode 21-Dec-2010
STMicroelectronics	STGW35HF60WDI	1Mb / 15P	35 A, 600 V ultrafast IGBT with low drop diode 25-Aug-2011
IXYS Corporation	IXSH16N60U1	40Kb / 2P	Low V CE(sat) IGBT with Diode

Sobre a IXYS Corporation

A IXYS Corporation é uma empresa de tecnologia especializada no design, fabricação e venda de semicondutores de energia e circuitos integrados (ICS). A empresa foi fundada em 1983 e está sediada em Milpitas, Califórnia. A IXYS tem uma presença global, com operações e clientes em mais de 60 países em todo o mundo.

O IXYS fornece uma ampla gama de produtos e soluções, incluindo moscas de potência, transistores bipolares de energia, tiristores, diodos e ICs para gestão de energia e aplicações de controle. Os produtos da empresa são usados em uma variedade de aplicações, incluindo energia renovável, industrial, automotiva e eletrônica de consumo.

A IXYS é conhecida por sua experiência em tecnologia de semicondutores de energia e sua capacidade de fornecer soluções de alto desempenho e custo-benefício para seus clientes. A empresa está comprometida com a inovação e pesquisa e desenvolvimento e está ativamente envolvida no desenvolvimento de novas tecnologias e soluções para o mercado de semicondutores de energia. A IXYS é um líder reconhecido no mercado de semicondutores de energia e continua a fornecer produtos e serviços de alta qualidade aos seus clientes.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.

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