LB1231 Folha de dados(PDF) - Sanyo Semicon Device

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LB1231 Folha de dados (PDF) - Sanyo Semicon Device

LB1231 Datasheet PDF - Sanyo Semicon Device


Nome de Peças	LB1231

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Fabricante Electrônico	SANYO [Sanyo Semicon Device]

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Descrição Electrónicos

High-Voltage, High- Current Darlington Transistor Array

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Fabricante Electrônico	SANYO [Sanyo Semicon Device]

Página de início	https://www.sanyo-av.com/us/

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Descrição Electrónicos	High-Voltage, High- Current Darlington Transistor Array

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LB1231 Detalhes do produto

Featues

High-voltage (VCEO≥ 50V), large-current (ICmax = 500 mA) drive

LB1231 • Drivable by TTL, MOS output

LB1232 • Contains base current limiting resistors,Zener diodes for level shift

          • Direct drivable by 24V P MOS

LB1233 • Contains base current limiting resistors.

          • Direct drivable by TTL, CMOS output.

LB1234 • Contains base current limiting resistors.

          • Direct drivable by CMOS, PMOS output.

Nº de peça semelhante - LB1231

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Sanyo Semicon Device	LB1233M	51Kb / 3P	LB1233M
Sanyo Semicon Device	LB1235	66Kb / 2P	High-Voltage, High-Current Darlington Driver?
Dc Components	LB123D	220Kb / 1P	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Dc Components	LB123T	190Kb / 1P	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Weitron Technology	LB123T	328Kb / 4P	NPN Epitaxial Planar Transistors

Descrição semelhante - LB1231

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Motorola, Inc	MCT1413B	52Kb / 4P	High Voltage, High Current Darlington Transistor Array
Rohm	BA12001B	58Kb / 6P	High voltage, high current Darlington transistor array
Texas Instruments	ULN2003AI	303Kb / 14P	HIGH-VOLTAGE, HIGH-CURRENT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY
	ULN2004AI	417Kb / 13P	HIGH-VOLTAGE HIGH-CURRENT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY
	ULN2001A	657Kb / 22P	HIGH-VOLTAGE HIGH-CURRENT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY
Rohm	BA12001B	115Kb / 7P	High voltage, high current Darlington transistor array
Rohm	BA12003BF-E2	115Kb / 7P	High voltage, high current Darlington transistor array
Unisonic Technologies	ULN2003R	186Kb / 7P	HIGH VOLTAGE HIGH CURRENT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY
Texas Instruments	UCD2003B	1Mb / 24P	High-Voltage, High-Current Darlington Transistor Array
Texas Instruments	ULN2804A	121Kb / 7P	HIGH-VOLTAGE, HIGH-CURRENT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY

Sobre a Sanyo Semicon Device

A Sanyo Semiconductor Device Corporation, ou dispositivo Sanyo Semicon, foi uma subsidiária da Sanyo Electric Co., Ltd., uma empresa de eletrônica japonesa. O dispositivo Sanyo Semicon era fabricante de dispositivos semicondutores, incluindo diodos, transistores e outros componentes para aplicações eletrônicas, automotivas e industriais de consumo. A empresa foi criada em 1970 e estava sediada em Osaka, Japão.

O dispositivo Sanyo Semicon era conhecido por seus produtos de alta qualidade e seu compromisso de atender às necessidades de seus clientes. A empresa teve um forte foco em pesquisa e desenvolvimento e esteve envolvido no desenvolvimento de novas tecnologias e produtos para a indústria de semicondutores. Os produtos da Sanyo Semicon Device foram amplamente utilizados em uma variedade de aplicações e ajudaram a apoiar o crescimento da indústria de eletrônicos.

Em 2010, a Sanyo Electric foi adquirida pela Panasonic Corporation, uma empresa líder global de eletrônicos. Como resultado, o dispositivo Sanyo Semicon se tornou uma subsidiária da Panasonic e foi integrado ao seu negócio de semicondutores. A aquisição permitiu à Panasonic expandir seu portfólio de produtos e ofertas no mercado de semicondutores e fortalecer ainda mais sua posição na indústria de eletrônicos.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.

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