IRGI4060DPBF Folha de dados(PDF) - International Rectifier

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IRGI4060DPBF Folha de dados (PDF) - International Rectifier

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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA FAST RECOVERY DIODE

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IRGI4060DPBF Detalhes do produto

Features
• Low VCE (on) Trench IGBT Technology
• Low Switching Losses
• 5μs SCSOA
• Square RBSOA
• 100% of The Parts Tested for ILM
• Positive VCE (on) Temperature Coefficient.
• Ultra Fast Soft Recovery Co-pak Diode
• Tighter Distribution of Parameters
• Lead-Free Package

Benefits
• High Efficiency in a Wide Range of Applications
• Suitable for a Wide Range of Switching Frequencies due
to Low VCE (ON) and Low Switching Losses
• Rugged Transient Performance for Increased Reliability
• Excellent Current Sharing in Parallel Operation
• Low EMI

Nº de peça semelhante - IRGI4060DPBF

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
International Rectifier	IRGI4061DPBF	288Kb / 10P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
	IRGI4062DPBF	392Kb / 10P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
	IRGI4064DPBF	395Kb / 10P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
	IRGI4065PBF	321Kb / 7P	PDP TRENCH IGBT

Descrição semelhante - IRGI4060DPBF

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
International Rectifier	IRG4BC10SDPBF	267Kb / 10P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
	IRG4IBC20KDPBF	278Kb / 10P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
	IRG4PH30KDPBF	468Kb / 10P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
	IRGIB10B60KD1P	452Kb / 13P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
	IRG4BC20KD-SPBF	364Kb / 11P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULRTAFAST SOFR RECOVERY DIODE
	IRGR3B60KD2PBF	317Kb / 14P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
	IRG4PSH71UDPBF	239Kb / 11P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
	IRGI4045DPBF	327Kb / 10P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA FAST RECOVERY DIODE
	IRGR2B60KDPBF	751Kb / 12P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-FAST SOFT RECOVERY DIODE
	IRGR2B60KDPBF	751Kb / 12P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-FAST SOFT RECOVERY DIODE

Sobre a International Rectifier

O International Retificer (IR) era uma empresa americana especializada no design e fabricação de semicondutores de gerenciamento e controle de energia.
A empresa foi fundada em 1947 e estava sediada em El Segundo, Califórnia.
O IR forneceu uma ampla gama de produtos, incluindo ICs de gerenciamento de energia, MOSFETs de energia, IGBTS e outros produtos de controle de energia.
Os produtos da empresa foram usados em várias aplicações, como computação, telecomunicações e automação industrial.
A IR era conhecida por sua experiência em gerenciamento de energia e tecnologia de controle e sua capacidade de fornecer produtos de alta qualidade e confiáveis aos seus clientes.
Em 2014, a RI foi adquirida pela Infineon Technologies, uma provedora líder de produtos de gerenciamento e controle de energia e outras soluções de semicondutores.
A marca de retificador internacional não está mais em uso, mas sua tecnologia e produtos continuam fazendo parte do portfólio da Infineon.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.

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