21N50C3 Folha de dados(PDF) - Infineon Technologies AG

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Fabricante Electrônico	INFINEON [Infineon Technologies AG]

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Descrição Electrónicos

New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Periodic avalanche rated

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21N50C3 Detalhes do produto

Feature
• New revolutionary high voltage technology
• Ultra low gate charge
• Periodic avalanche rated
• Extreme dv/dt rated
• Ultra low effective capacitances
• Improved transconductance
• Qualified according to JEDEC) for target applications

Nº de peça semelhante - 21N50C3

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
VBsemi Electronics Co.,...	21N05L	897Kb / 6P	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
Inchange Semiconductor ...	21N60	49Kb / 2P	Fast Switching
STMicroelectronics	21N65M5	894Kb / 14P	N-channel 650 V, 0.175 Ω, 17 A PowerFLAT??(8x8) HV ultra low gate charge MDmesh™V Power MOSFET 18-May-2011
List of Unclassifed Man...	21NAB06	246Kb / 4P	3-phase bridge rectifier braking chopper 3-phase bridge inverter

Descrição semelhante - 21N50C3

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Infineon Technologies A...	SPP07N65C3	2Mb / 15P	New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Periodic avalanche rated Rev. 1.91 2009-07-23
	SPP12N50C3	1Mb / 14P	New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Periodic avalanche rated Rev. 3.0 2007-08-30
	SPP16N50C3	1Mb / 14P	New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Periodic avalanche rated Rev. 3.0 2007-08-30
	SPI11N60CFD	1Mb / 12P	New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Periodic avalanche rated Rev. 2.6 2009-04-24
	SPP07N60C3	1Mb / 15P	New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Rev. 3.1 2007-08-30
	SPP11N65C3	1,019Kb / 15P	New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Periodic avalanche rated Rev. 2.9 2007-08-30
	SPP08N50C3	732Kb / 14P	New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Periodic avalanche rated Rev. 2.91 2009-11-27
	SPP16N50C3	729Kb / 14P	New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Periodic avalanche rated Rev. 3.2 2009-12-22
	SPB11N60S5	691Kb / 11P	New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Rev. 2.3 2005-07-22
	SPP04N50C3	635Kb / 13P	New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Periodic avalanche rated Rev. 2.8 2009-11-26

Sobre a Infineon Technologies AG

A Infineon Technologies é um fabricante global de semicondutores globais, especializado em fornecer soluções de gerenciamento de energia, segurança e controle para vários setores, como sistemas automotivos, industriais e de comunicação.
A empresa foi fundada em 1999 e está sediada em Neubiberg, Alemanha.
A Infineon oferece uma ampla gama de produtos, incluindo microcontroladores, semicondutores de potência, sensores e outros circuitos integrados.
A empresa tem uma forte presença no mercado global, com operações e instalações em vários países do mundo.

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